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SiC Traction模组的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽车功率模组的开发过程中，由欧洲电力电子中心主导的测试标准AQG324非常重要，只有完成根据它的测试规范设计的测试计画，才能得到广大的车厂认可，而汽车级SiC功率模组也必须通过AQG324的测试规范 |
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晶背供电技术的DTCO设计方案 (2023.08.11)
比利时微电子研究中心（imec）于本文携手矽智财公司Arm，介绍一种展示特定晶背供电网路设计的设计技术协同优化（DTCO）方案，其中采用了奈米矽穿孔及埋入式电源轨来进行晶背布线 |
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DNP开发出适用於半导体封装的TGV玻璃芯基材 (2023.03.20)
Dai Nippon Printing （简称DNP）公司已开发出一款适用於下一代半导体封装的玻璃芯基材（GCS）。这款新产品用玻璃基材替代了传统的树脂基材（例如FC-BGA：覆晶球格阵列）。与采用目前可用技术的半导体封装相比，透过使用高密度的玻璃导通孔（Through Glass Via；TGV），DNP如今可以实现更高的封装效能 |
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看好晶片微缩进展 imec提出五大挑战 (2023.03.13)
面对当代的重大挑战时，人工智慧应用越来越广泛，未来的运算需求预计会每半年翻涨一倍。为了在处理暴增的巨量资料的同时维持永续性，需要经过改良的高性能半导体技术 |
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探索埃米世代导线材料 金属化合物会击败铜吗？ (2023.01.19)
大约5年前，imec研究团队开始探索二元与三元化合物作为未来金属导线材料的可能性，藉此取代金属铜。他们设计一套独特方法，为评估各种潜在的替代材料提供指引。 |
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imec推出双层半镶嵌整合方案 4轨VHV绕线设计加速逻辑元件微缩 (2022.12.09)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了最新的半镶嵌整合方案，透过导入VHV绕线技术（vertical-horizontal-vertical）来实现4轨（4T）标准单元设计，加速元件微缩 |
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盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离制程 (2022.11.24)
盛美半导体设备（上海）股份有限公司宣布其为Ultra C pr设备拓展了金属剥离（MLO）应用，以支援功率半导体制造和晶圆级封装（WLP）应用。MLO制程是一种形成晶圆表面图案的方法，省去了蚀刻制程步骤，可降低成本，缩短制程流程，并减少高温化学品用量 |
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非铜金属半镶嵌制程 实现窄间距双层结构互连 (2022.08.05)
imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组，强调窄间距自对准通孔的重要性，同时分析并公开该模组的关键性能叁数，包含通孔与导线的电阻与可靠度 |
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推动2D/3D IC升级 打造绝无仅有生医感测晶片 (2022.06.22)
随着半导体先进制程推进到2奈米（nm）之後，晶片微缩电路的布线与架构，就成为性能与可靠度的发展关键，而imec的论文则为2奈米以下的晶片制程找到了一条兼具可行性与可靠度的道路 |
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解决毫米波挑战 波束成形提升高频覆盖率 (2022.06.22)
除了虚拟化与大规模MIMO之外，波束成形技术也是非常重要的解决方法。
目前波束成形技术已被广泛接受，将在下一代网路中发挥重要作用。 |
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imec首度展示晶背供电逻辑IC布线方案 推动2D/3D IC升级 (2022.06.17)
比利时微电子研究中心（imec）於本周举行的2022年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米矽穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的元件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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盛美上海推出ULD技术 槽式湿法清洗设备获批量采购订单 (2022.02.15)
盛美半导体设备（上海）股份有限公司，宣布已接到29台Ultra C wb槽式湿法清洗设备的批量采购订单，该设备可应用於加工300mm晶圆，其中16台设备的重复订单来自同一家中国国内代工厂，重复订单的目的是支援该工厂的扩产 |
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3D SoC与晶背互连技术合力杀出重围 (2022.01.21)
新一代的高效能系统正面临资料传输的频宽限制，也就是记忆体撞墙的问题，运用电子设计自动化与3D制程技术.... |
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杜邦Nikal B 电镀化学品系列添新成员— 无硼酸电镀镍 (2021.09.26)
杜邦电子与工业事业部宣布，Nikal BP 电镀化学品系列又添新成员- Nikal BP BAF Ni 电镀镍。这款新增的化学品不含硼酸，是凸块下金属化层 (UBM) 封装应用更为安全的电镀选择 |
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延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构 (2021.08.05)
由石墨烯和金属构成的异质结构有望成为1奈米以下后段制程技术的发展关键，本文介绍其中两种异质整合方法，分别是具备石墨烯覆盖层的金属导线，以及掺杂石墨烯和金属交替层的堆叠元件 |
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迈向1nm世代的前、中、后段制程技术进展 (2020.12.08)
为了实现1nm技术节点与延续摩尔定律，本文介绍前、中、后段制程的新兴技术与材料开发，并提供更多在未来发展上的创新可能。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由于7奈米及更先进制程愈趋复杂昂贵，正采用不同方法来提高效能，亦即降低工作电压并使用新IP区块来强化12奈米节点，而这些改变对于AI加速器特别有效。 |
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逻辑元件制程技术蓝图概览（上） (2020.11.10)
爱美科CMOS元件技术研究计画主持人Naoto Horguchi、奈米导线研究计画主持人Zsolt Tokei汇整各自的领域专长，将于本文一同呈现先进制程技术的发展蓝图。 |
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用「??」金属实现2奈米制程 (2020.10.11)
Imec展示可实现2奈米制程的先进互连方案的替代金属技术
在2020年国际互连技术大会上，imec首次展示了采用??金属(Ru)，具备电气功能的双金属层级结构（2-metal-level）互连技术 |
