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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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筑波科技x美商泰瑞达分享交流化合物半导体材料与测试技术 (2024.04.18)
因应高效能运算和AI趋势对於创新材料的需求，筑波科技携手美商泰瑞达Teradyne於17日举办首场「化合物半导体材料与测试技术研讨会」，此次研讨会聚焦於各种测试挑战与解决方案，邀请产官学界菁英分享如氧化??、石墨烯等新兴材料应用，探究化合物半导体在矽光子的应用 |
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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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Littelfuse超小型包覆成型磁簧开关适用於空间受限设计 (2024.02.27)
Littelfuse公司推出59177系列超小型包覆成型磁簧开关，为设计人员提供高度灵活性，满足空间受限的应用需求。凭藉紧凑型设计和低功耗，59177系列磁簧开关为各类高速开关应用提供可靠的解决方案 |
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ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。
二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升，对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用 |
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ROHM推出LiDAR用120W高输出功率雷射二极体 (2023.10.31)
半导体制造商ROHM推出一款高输出功率半导体雷射二极体「RLD90QZW8」， 非常适用於搭载测距和空间识别用LiDAR的工控设备领域的AGV（Automated Guided Vehicle/无人搬运车） 和服务机器人、消费性电子领域的扫地机器人等应用 |
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ROHM超高速奈秒级闸极驱动器IC可大幅发挥GaN元件性能 (2023.10.19)
近年来在伺服器系统等应用领域，由於物联网（IoT）设备的需求渐增，关於电源部分的功率转换效率提升和设备小型化已成为重要课题，要求功率元件需不断进行优化。另外，不仅在自动驾驶、工控设备和社会基础建设监控等应用领域中也非常广泛的LiDAR，也需要透过高速脉冲雷射光照射来进一步提高辨识精度 |
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矽光子发展关键：突破封装与材料障碍 (2023.08.21)
最终的光电融合是3D共封装光学，即三维整合。可以毫不夸张地说，基於矽光子的光电子融合，将会是未来计算机系统和资讯网路的关键技术。 |
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英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05)
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有严苛的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行 |
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ROHM高性能650V耐压GaN HEMT开始量产 (2023.05.18)
半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。
据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题 |
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ROHM确立超高速驱动控制IC技术 更大程度发挥GaN性能 (2023.03.22)
ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度发挥GaN等高速开关元件的性能。近年来，GaN元件因具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN元件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题 |
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ROHM SiC SBD成功应用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（总公司：日本京都市）开发的第3代SiC萧特基二极体（以下简称 SBD）已成功应用於Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是擅长电子元件、电池、电源领域的日本着名制造商村田制作所集团旗下的企业 |
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三菱电机将建设新晶圆厂增进碳化矽功率半导体产能 (2023.03.14)
因应快速增长的电动汽车对於碳化矽（SiC）功率半导体需求，三菱电机（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年内，将投资计画增加达到约 2600 亿日元，主要用於建设新的晶圆厂增加碳化矽（SiC）功率半导体的产量 |
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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流 |
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贺利氏针对先进封装制程推出多款创新产品 提升半导体装置效能 (2022.09.14)
在规模持续扩大的半导体市场中，5G、人工智慧和高效能运算等应用推动材料解决方案的发展，以应对先进封装领域日益增长的需求和挑战。半导体与电子封装领域材料解决方案领导厂商贺利氏於 2022 台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）推出多款提升装置效能的创新产品，包含散热、微小化、消除缺陷和电磁干扰（EMI）等全方位解决方案 |
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无桥图腾柱功率因数校正控制器 实现AC-DC 功率转换效益 (2022.06.25)
随着电源开关频率不断提高的发展趋势，开关器件中的动态损耗会产生更大的影响。本文举例说明如何使用无桥图腾柱功率因数校正控制器，进而实现出色的 AC-DC 功率转换效率 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
