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ST推出下一代低功耗45nm CMOS设计平台 (2007.06.22)
半导体制造厂商意法半导体（ST）公布该公司的45nm（0.045微米）CMOS设计平台技术的相关信息，此平台可用来开发强调低功耗的无线与可携式消费性应用的下一代系统单芯片（SoC）产品
东芝密集合纵连横，力抗日立与英特尔 (2006.02.08)
日本东芝（TOSHIBA）近日密集地公布与其他知名半导体厂商、合作设计开发先进半导体制造技术的计划，有意与日立（Hitachi）、三星（Samsung）及英特尔（Intel）相互抗衡。 据报导，2月初东芝、NEC与新力（SONY）共同宣布将整合研发资源，计划继Intel之后联合开发0.045微米芯片制造工艺技术
IBM、SONY、东芝合作半导体技术 (2002.04.03)
国际商业机器公司(IBM)、东芝公司和Sony公司决定扩大既有的联盟，将共同发展先进的集成电路制程技术。该计划旨在以IBM硅绝缘层芯片(SOI)新制造技术为基础，研发先进的半导体制程技术


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