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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET (2013.10.07)
若干因素（包括矽材料的选择、IC 布局、功率电路组态）推动 Dual Power MOSET 的发展，使其在更小封装内实现更高功率密度。 |
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ST推高耐用性及切换性能和效率之MOSFET产品 (2008.09.30)
意法半导体进一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切换性能和效率，功率MOSET被用于安定器及开关电源的功率因子校正器(PFC)和半桥电路内。 SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保其拥有更高的效率 |
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ST推出250A功率MOSFET结合先进封装和制程 (2008.07.20)
以降低如电动汽车等电动设备的营运成本和减少对环境的影响为目标，电源应用厂商意法半导体(ST)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3低导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能 |
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IR推出25V DirectFET MOSFET晶片组 (2008.07.16)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET晶片组，适用于负载点(POL)转换器设计，以及伺服器、高端桌上型电脑和笔记簿电脑应用。
新25V晶片组结合IR最新的HEXFET MOSFET矽技术与先进的DirectFET封装技术，把高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案整合在SO-8元件的占位面积，并采用了0.7mm纤薄设计 |
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Linear推出多相位升压DC/DC控制器 (2008.06.27)
凌力尔特(Linear)发表LTC3862，其为一款可透过精小接脚占位提供高输出功率的二相位升压DC/DC控制器。其12个电源步阶可被并联及反相锁住，以将输入和输出滤波之要求降至最低，4V 至36V之输入电压范围，以及根据外部零组件选择之宽广输出电压范围可涵盖广泛的高功率升压应用 |
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Zetex新型无铅MOSFET成功把电路面积减一半 (2008.03.11)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA组件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的组件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用于各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置 |
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IR新200V DirectFET MOSFET提供高达95%效率 (2006.11.23)
功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，以IR的基准DirectFET封装技术配合IR最新的200V HEXFET MOSFET硅技术，达致95%的效率 |
