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BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.16)
美国国家半导体(NS)为供电电压介于0.9~12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术,VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅(SOI)的BiCMOS制程,其中采用的薄膜电阻不仅可以微调
BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.02)
美国国家半导体(NS)为供电电压介于0.9~12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术,VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅(SOI)的BiCMOS制程,其中采用的薄膜电阻不仅可以微调
以BiCMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.27)
NS以绝缘硅(SOI)BiCMOS 模拟制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能,这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9~12V之间的运算放大器所设计,其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上
以BiCMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.06)
NS以绝缘硅(SOI)BiCMOS 模拟制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能,这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9~12V之间的运算放大器所设计,其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上
以CMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.01)
NS以绝缘矽(SOI)BiCMOS 类比制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能,这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9~12V之间的运算放大器所设计,其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上
NS全新放大器芯片确保麦克风发挥高度原音音响效果 (2005.03.16)
美国国家半导体(NS)推出两款可直接装设于驻极体电容器麦克风(ECM)之内的全新放大器芯片,确保麦克风可以发挥高度原音的音响效果。一直以来,无线电子产品制造商无法为驻极体电容器麦克风引进数字语音技术,以免加大产品体积以及加重成本负担
NS高精度放大器为电流感应精确度确立业界标准 (2004.12.14)
美国国家半导体(NS)推出三款全新的高共模差动放大器,进一步强化其高效能高精度放大器系列的产品阵容。这几款全新的放大器是专为工业生产、医疗诊断及汽车电子系统等多种不同的应用而设计,可以支持准确的电流感应,最适用于笔记本电脑和移动电话的电池充电和放电系统以及燃料喷射控制系统
NS推出双供电模式运算放大器 (2004.10.13)
美国国家半导体(National Semiconductor Corporation)推出一款市场上供电电流最低的双供电模式运算放大器。美国国家半导体这款型号为LMV422的放大器芯片设有独特的节能模式,确保客户的系统即使维持在通电状态,仍可减低功耗
美国国家半导体推出雷射二极管驱动器 (2004.08.18)
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)推出一款适用于光学拾讯器 (Optical Pickup Units;OPU) 而设的全新雷射二极管驱动器。这款型号为 LMH6533 的芯片具有极快开关速度、极低输出电流噪声以及低功耗等优点


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