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茂德中科12吋晶圆厂动土 挑战全球最大 (2004.04.10)
茂德科技8日于中部科学工业园区举行该公司12吋晶圆三厂动土典礼，该厂为国内首家进驻中科的DRAM厂商，总投资金额高达32亿美元，最大月产能为5万片，将成为全球半导体产业中单一厂址产能最大的12吋晶圆厂 |
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力晶发布93年第一季营收报告 (2004.04.07)
力晶半导体公布93年第一季未经会计师核阅之自行结算财务报表，第一季总营收达105.36亿元。自结毛利与毛利率分别为36.92亿元与35%；首季税前、税后净利为33.58亿元、32.28亿元，每股获利达0.95元 |
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OEM厂补库存 DRAM现货市场价格狂飙 (2004.04.06)
据工商时报消息，DRAM现货市场因戴尔、惠普等OEM计算机大厂需求提高，出现约3％～5％的供给缺口，主流产品256Mb DDR价格于日前大涨一成，创下5年来单日最大涨幅纪录；该报导引述业者看法指出，DRAM厂释出至现货市场货源已不多，价格仍有上扬空间 |
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力晶3月份营收达41.2亿元 (2004.04.05)
力晶半导体宣布内部自行结算之2004年3月份营收报告。报告指出，3月营业净额达新台币41.2亿元，相较上月大幅成长24.4%，更较去年同期成长302%。营业收入持续创下历史新高纪录 |
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布局DDRII市场 DRAM业者与封测厂合作密切 (2004.04.03)
为因应DDRII规格内存即将成为市场主流，DRAM厂为抢攻市场占有率，纷纷计划推出新产品，且因DDRII封装与测试制程皆与上一世代不同，各家DRAM厂也与后段封测厂进行技术合作，包括南亚科与裕沛、茂德与南茂、力晶与力成 |
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富士通推出PRIMERGY BX300刀锋型服务器 (2004.03.15)
富士通推出采用Intel Pentium M处理器，以及4 GB ECC保护DDR SDRAM 内存的PRIMERGY BX300刀锋型服务器。此项强力组合使得刀锋型服务器非常适用于运算密集的应用程序，例如广泛的终端服务器建置，或大量的 Web 服务器，除了降低每一片服务器刀锋的成本，对于机架空间的需求也比标准型服务器来得低 |
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世界先进Q3停产DRAM 测试机台求售 (2004.03.04)
业界消息指出，在2月初的法人说明会中宣布于第三季停产DRAM的世界先进，其DRAM投片已提前在2月间停止，预计生产在线在制DRAM芯片（WIP）将于4月底出清，DRAM产出后所需的测试机台设备也开始求售 |
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从三星经验看「韩流」 (2004.02.05)
近年来南韩半导体产业的蓬勃发展为全球有目共睹，而其中三星电子集团的崛起与快速成长，更是业界关注的焦点，该公司挟其庞大资本、产能与先进记忆体技术，在国际市场地位日益显著；本文将由三星的发展历史与营运策略，为读者分析此一波强劲「韩流」走势 |
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12吋厂效益发挥 台湾3大DRAM厂可望转亏为营 (2004.01.13)
工商时报报导，尽管2003年12月DRAM报价大幅下滑，国内3大DRAM厂南亚科、力晶、茂德各因制程实力提升与12吋晶圆厂成本效益发挥，单月营收仅出现小幅滑落甚至逆势成长，第4季单季获利也一如预期稳定发展；力晶、茂德全年营运均可望顺利转亏为盈 |
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厂商提高产能 DRAM今年Q1产出量将增加 (2004.01.08)
工商时报引述集邦科技统计指出，2003年12月全球DRAM总产出量维持小幅成长，其中美光（Micron）因制程良率获得突破，12月份产出量成长率达18.3％。而集邦科技预估，由于日本、台湾DRAM厂在2003第4季均增加投片量，2004第1季全球DRAM产出量成长幅度将会转大 |
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Elpida与中芯达成为期五年之合作协议 (2003.12.25)
路透社报导，日本内存芯片业者Elpida日前宣布该公司已与中国大陆晶圆业者中芯国际达成一项为期5年的DRAM供应协议；根据这项协议，中芯国际将于2004年第4季开始以100奈米的12吋晶圆制程为Elpida生产 DRAM |
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茂德取得茂硅UMI之股权及专利 (2003.12.24)
茂德科技与茂硅电子日前在香港签订两份股权转让合约以及一份专利与技术买卖合约。茂德总计支付约1.20亿元美金，取得茂硅美国子公司UMI（United Memories Inc）100%股权、MVC（Mosel Vitelic Corporation）50%股权、茂硅全球内存专利权、DRAM产品权利以及茂硅在美国中央实验室（Central Lab）所开发之Flash制程技术暨相关知识产权 |
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Mobile RAM供需缺口逾2成 2004年Q1前难纾解 (2003.12.21)
消费性电子产品第四季销售旺季，造成关键零组件出现严重供不应求，继日前手机内部SRAM内存涨价10％后，目前包括数字相机（DSC）、Smart Phone等消费性电子产品所使用内存需求出现暴增现象，且与NAND型Flash产品一样到了有钱也不见得拿得到货的地步，供货商估计，到2004年第一季前缺货状况仍将无法舒缓 |
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茂德与尔必达协商破裂 (2003.12.19)
茂德科技19日宣布，该公司将暂停与日本尔必达有关动态随机存取内存等芯片技术授权、共同研发、与产能分配等合作案的协商。
茂德科技发言人林育中表示，『茂德与尔必达目前已暂停有关技术移转与产能分配的商谈计划 |
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iSuppli指PC需求回升 带动DRAM业获利 (2003.12.16)
市调机构iSuppli公布最新报告指出，个人计算机（PC）需求反弹回升，除将使DRAM业者获利，厂商也可望因此有更多现金投入技术升级，推论2004年DRAM大厂将纷纷提高资本支出，前13大供货商合计投资额可望较前1年大幅增加42％，达88.5亿美元 |
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三星产能转拨效应不明显 DRAM涨价难 (2003.12.14)
工商时报报导，虽然韩国三星电子大举将DRAM产能转至生产NAND芯片，但仍维持DRAM总产出量不变或小幅成长，但根据集邦科技统计，2003年三星及Hynix加计DRAM总产出仍逐月成长 |
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iSuppli指12吋厂将成DRAM业者成长主力 (2003.12.08)
市调机构iSuppli公布今年全球前10大DRAM厂排名预测，2002年成长最快的三星、南亚科二家业者，2004年营收较去年微幅衰退，而拥有12吋晶圆厂的英飞凌、尔必达、茂硅、力晶，则因今年新产能顺利开出，营收均有不错的成长 |
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竹科土地取得难 DRAM业者12吋厂改移中科 (2003.12.06)
据Digitimes报导，台湾DRAM业者12吋厂建厂速度持续加快，但因竹科第三期土地无法如期征收，土地取得困难，业者纷计划将接下来的12吋厂投资目标地点，移往在离竹科较近的中部科学园区，初步估算投资规模将达新台币2500亿元 |
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市场指三星转拨12吋产能主因 为看坏DRAM市况 (2003.11.25)
根据市调机构iSuppli指出，南韩三星电子年底前将把12吋厂的1万片左右月产能，改投高密度NAND闪存（Flash），并将制程由0.12微米微缩至0.11微米。而市场消息认为，三星此举表示该公司对2004年上半年DRAM市况不抱乐观 |
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二线厂抛售未测试晶圆 DRAM价格跌不停 (2003.11.24)
据工商时报报导，DRAM市场今年未出现年底旺季行情，近期更因终端市场需求疲弱使DRAM现货价格连日下挫，不过DRAM后段封装测试因产能不足，代工价格持续上涨，已严重压缩DRAM厂获利能力 |
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