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CTIMES / 晶体管
科技
典故
Internet的起源

组成Internet的两大组件,一是作为传达内容的本体—超文本,另一个是传输的骨干—网络,网际骨干可追溯到1968年的美俄冷战时期,当时美国国防部的DARPA计划发展出ARPANET,网页结构则是由超文件(Hypertext)演变而来。
Linear推出具备两个LDO的25mA/LED输出驱动器 (2007.09.14)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款整合式白光LED驱动器LTC3230,其具备能驱动主及次LED屏幕的双组LDO稳压器,并针对可携式电子组件提供低压系统电源端,所有均包含于精小3mm x 3mm QFN封装中
安森美推出带I2C接口的迷你三路输出LED驱动器 (2007.08.22)
电源半导体解决方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor)推出高能效三路输出LED驱动器—NCP5623,带有I2C接口,并且内置渐进调光功能。该器件特别设计用于驱动手机和MP3播放器等便携产品中的三色RGB (红、绿、蓝)LED装饰光和增强型LCD背光
Zetex高效能晶体管有效提升电源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors(捷特科)公司,近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管,满足新一代电源设备中的MOSFET闸驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是第一批采用SOT23FF封装的双极组件,占位面积为2.5 x 3毫米,板外高度只有1毫米
Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET,这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路,同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。 额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V~1.3V工作电压保持一致,从而可实现更安全、更可靠的设计
AnalogicTech多功能LED驱动器简化照明电路设计 (2007.08.09)
Advanced Analogic Technologies Incorporated(简称AnalogicTech)推出两款全新高效能电荷泵产品,协助业者设计更小型、更多功能的手机。AAT2846及AAT2856将背光驱动器、高电流闪光驱动器及2个通用低压差(LDO)线性稳压器整合于单一4x4 mm封装中
Linear250mA万用手机LED驱动器能驱动9颗LED (2007.08.09)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款针对手机屏幕显示及照明之无电感、低噪声、高效率LED驱动器LTC3219。此IC针对主、次及RGB屏幕提供9组个别的可配置电流源,屏幕之电流则可透过精准的内部电流参考设定
安森美推出双载子接面晶体管系列新封装 (2007.07.11)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充低Vce(sat)双载子接面晶体管(BJT)产品系列,推出采用先进硅芯片技术的PNP与NPN产品。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET比较,不仅实现了能效的最大化,而且还可延长电池的使用时间
瑞萨研发最新低成本制造技术提升晶体管效能 (2007.06.21)
瑞萨科技宣布开发适用于45 nm(奈米)及后续制程世代微处理器及SoC(系统单芯片)之低成本且可达成极高效能晶体管之制造技术。此新技术利用瑞萨科技独家开发且于2006年12月发表之混合架构,提升CMIS晶体管之效能
RFMD发表48V高功率氮化镓晶体管 (2007.06.15)
针对驱动行动通讯、设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RF Micro Devices,Inc.,近日发表RF393X家族的48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供从10W到120W的功率效能,并具备非常宽广的可调谐带宽-展现RFMD GaN技术相对于竞争GaAs及硅晶LDMOS技术之高功率与频寛之优质结合
NXP推出首款真正300W超高频晶体管 (2007.06.04)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,前身为飞利浦半导体)推出全球首款真正300W超高频(UHF)晶体管,即第六代高电压LDMOS晶体管BLF878。此款新的高功率晶体管针对电视发射器及广播市场所设计,是市场上唯一能够在整个UHF频段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案
品佳集团推广NXP高效能超低噪声微波晶体管 (2007.05.09)
品佳集团近期积极推广NXP高效能超低噪声的微波晶体管,高频应用(20GHz以下)的NPN微波晶体管BFU725F可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数,适用于敏感度高的RF module及High performance mobile phones;此外,其高切换频率的特色可用作10GHz~30GHz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案
Fairchild数字晶体管让可携式设备具性能/空间优势 (2007.04.12)
快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种全新200mW数字晶体管系列,它们将一个外接电阻偏置网络整合进目前市场上最小的封装中。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列是专为开关、反相器、接口及驱动电路所量身定做的,且不需要外接电阻
恩智浦半导体新一代双极晶体管提升能源效率 (2007.03.21)
恩智浦半导体(前身为飞利浦半导体)发布最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(Breakthrough in Small Signal)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并有效减少可擕式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数字相机)的热能产生
ST射极开关双极晶体管为电源供给应用设新标准 (2005.10.18)
功率晶体管市场技术领导者ST,发布一系列混合式射极开关双极晶体管(EBST),特别适合工业照明应用中之功率因子预调节的工业用三相辅助电源供应器与单端初级电感转换器(SEPIC)等应用
ST射极开关双极晶体管为电源供给应用设新标准 (2005.10.18)
功率晶体管市场技术领导者ST,发布一系列混合式射极开关双极晶体管(EBST),特别适合工业照明应用中之功率因子预调节的工业用三相辅助电源供应器与单端初级电感转换器(SEPIC)等应用
Zetex推出最新SOT23功率晶体管 (2005.10.12)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex推出全新的SOT23封装式双极晶体管系列。这些新组件能以更小的面积,达到与SOT223封装相同的电流处理效能,有效缩减印刷电路板的尺寸
Freescale RF功率晶体管符合广播业界需求 (2005.04.20)
在能源价格不断提升的情形下,广播业界极需一套创新的方法来缩减电力和营运费用。飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)预见了这样的市场需求,并且推出了一款高效率的RF功率晶体管
Zetex新双极晶体管满足直流马达控制性能需求 (2004.12.15)
Zetex推出两款双极晶体管-ZX5T851Z NPN及ZX5T951Z PNP。两款新推出的产品可提供超强效率的高电流运作,满足直流马达控制所有性能需求,同时采用SOT89封装,可取代封装体积更大的部件,提高成本效益

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