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英飛凌推出採用SOT-223封裝的CoolMOS CE (2016.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）擴展採用SOT-223 封裝的 CoolMOS CE 產品組合。採用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部分設計中節省空間，並降低功耗 |
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英飛凌推出採用SOT-223封裝的CoolMOS CE (2016.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）擴展採用SOT-223 封裝的 CoolMOS CE 產品組合。採用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部分設計中節省空間，並降低功耗 |
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凌力爾特發表新款降壓DC/DC μModule穩壓器 (2016.03.22)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表降壓DC/DC μModule（電源模組）穩壓器LTM8064，元件具備6V 至58V（最大60V）輸入電壓範圍，於7A時可調負載電流控制具備+/-10％ 精度。LTM8064可作為一個操作於24V、36V和48V電壓軌的負載點降壓穩壓器，應用範圍包括通訊基礎設施、高階電腦、測試設備、汽車，航太設備和各種廣泛的工業設備 |
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凌力爾特發表新款降壓DC/DC μModule穩壓器 (2016.03.22)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表降壓DC/DC μModule（電源模組）穩壓器LTM8064，元件具備6V 至58V（最大60V）輸入電壓範圍，於7A時可調負載電流控制具備+/-10％ 精度。LTM8064可作為一個操作於24V、36V和48V電壓軌的負載點降壓穩壓器，應用範圍包括通訊基礎設施、高階電腦、測試設備、汽車，航太設備和各種廣泛的工業設備 |
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凌力爾特高功率負電源Diode-OR控制器可耐+/-300V瞬變 (2016.03.21)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表強固的diode-OR控制器LTC4371，主要應用於雙饋高功率電信和數據通信板。LTC4371提供於冗餘電源之間的無縫切換，並以N通道MOSFET取代功率肖特基二極體和相關的散熱片，因而大幅縮減了功耗、壓降和解決方案尺寸 |
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Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半橋式閘極驅動器及6款高/低側600V閘極驅動器，可在半橋或全橋組態下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家電的驅動馬達、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具 |
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Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半橋式閘極驅動器及6款高/低側600V閘極驅動器，可在半橋或全橋組態下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家電的驅動馬達、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具 |
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凌力爾特發表50A或雙組 25A μModule 穩壓器 (2016.03.02)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表雙組25A或單一50A輸出降壓μModule穩壓器 LTM4650，於小型的耐熱增強型塑料封裝具備內建的屏蔽電感、MOSFET和雙組DC /DC穩壓器IC。該元件採用16mm x 16mm x 5.01mm BGA封裝，具備專利的內建散熱片 |
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凌力爾特發表50A或雙組 25A μModule 穩壓器 (2016.03.02)
凌力爾特（Linear Technology）日前發表雙組25A或單一50A輸出降壓μModule穩壓器 LTM4650，於小型的耐熱增強型塑料封裝具備內建的屏蔽電感、MOSFET和雙組DC /DC穩壓器IC。該元件採用16mm x 16mm x 5.01mm BGA封裝，具備專利的內建散熱片 |
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是德科技低頻雜訊量測系統獲中國賽寶實驗室用於元件可靠性研究 (2016.03.02)
是德科技（Keysight）日前宣佈中國賽寶實驗室（CEPREI Laboratory）採用Keysight EEsof EDA E4727A先進低頻雜訊分析儀（A-LFNA）進行閃變雜訊（1/f雜訊）和隨機電報雜訊（RTN）的量測與分析，以增進半導體元件（包括MOSFET、HEMT和TFT等）可靠性研究 |
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是德科技低頻雜訊量測系統獲中國賽寶實驗室用於元件可靠性研究 (2016.03.02)
是德科技（Keysight）日前宣佈中國賽寶實驗室（CEPREI Laboratory）採用Keysight EEsof EDA E4727A先進低頻雜訊分析儀（A-LFNA）進行閃變雜訊（1/f雜訊）和隨機電報雜訊（RTN）的量測與分析，以增進半導體元件（包括MOSFET、HEMT和TFT等）可靠性研究 |
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東芝針對汽車應用推出40V N溝道低導通電阻功率MOSFET (2016.02.01)
東芝公司（Toshiba）旗下半導體與儲存產品公司針對直流-直流轉換器、電動輔助轉向系統（EPS）大容量馬達驅動器和半導體繼電器等汽車應用推出40V N溝道功率MOSFET。MOSFET產品陣容的最新產品TKR74F04PB出貨即日啟動 |
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大聯大友尚集團推出意法半導體功率MOSFET 新品 (2016.01.05)
致力於亞太區市場的半導體零組件通路商大聯大控股宣佈，旗下友尚將推出意法半導體（ST）最新功率MOSFET產品，提供高效的電源解決方案，並能應用於伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品的電源設計 |
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大聯大友尚集團推出意法半導體功率MOSFET 新品 (2016.01.05)
致力於亞太區市場的半導體零組件通路商大聯大控股宣佈，旗下友尚將推出意法半導體（ST）最新功率MOSFET產品，提供高效的電源解決方案，並能應用於伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品的電源設計 |
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意法半導體新款功率MOSFET實現更小、更環保的汽車電源 (2015.12.23)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，採用意法半導體內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程，崩潰電壓範圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝 |
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意法半導體新款功率MOSFET實現更小、更環保的汽車電源 (2015.12.23)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，採用意法半導體內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程，崩潰電壓範圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝 |
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Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET降低負載開關損耗 (2015.12.16)
Diodes公司新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET採用設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產品適用於追求高效電池管理的平板電腦、智慧型手機、超輕薄筆電等可攜式消費性電子產品的負載開關，以及物聯網的應用 |
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Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET降低負載開關損耗 (2015.12.16)
Diodes公司新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET採用設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產品適用於追求高效電池管理的平板電腦、智慧型手機、超輕薄筆電等可攜式消費性電子產品的負載開關，以及物聯網的應用 |
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伺服器DC/DC設計擁抱數位化 (2015.11.11)
或許是因為伺服器需要因應多變的應用服務業者，
再加上營運成本也是極為重要的課題，
在DC/DC的設計難度，似乎不在AC/DC之下。
而數位化，就成了唯一的選擇。 |
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意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中 |
儘管DOS的大受歡迎，是伴隨IBM個人PC的功成名就而來，不過要追溯它的起源，可要從較早期的微處理器時代開始說起。
