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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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英飛凌新款MOSFET實現能源高效 適用於電動工具及電動腳踏車等應用 (2015.08.05)
(德國慕尼黑訊) 英飛凌科技（Infineon）推出全新 StrongIRFET MOSFET系列產品，適用於電池供電電路、直流有刷與無刷 (BLDC) 馬達等直流供電電路應用。新款MOSFET採用精巧的中型Can DirectFET封裝與全新配置，為電動工具、園藝工具、輕型電動車、無人機及電動腳踏車等有空間限制但又需求高度能源效率的終端應用帶來最高的能源效率 |
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英飛凌新款MOSFET實現能源高效 適用於電動工具及電動腳踏車等應用 (2015.08.05)
(德國慕尼黑訊) 英飛凌科技（Infineon）推出全新 StrongIRFET MOSFET系列產品，適用於電池供電電路、直流有刷與無刷 (BLDC) 馬達等直流供電電路應用。新款MOSFET採用精巧的中型Can DirectFET封裝與全新配置，為電動工具、園藝工具、輕型電動車、無人機及電動腳踏車等有空間限制但又需求高度能源效率的終端應用帶來最高的能源效率 |
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Diodes雙向開關提供單電芯及雙電芯鋰電池充電保護 (2015.07.20)
Diodes公司推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，為電池充電電路提供精密的雙向低損耗開關。新產品的目標終端市場包括智慧型手機、平板電腦、相機和媒體播放器等可攜式產品使用的單電芯及雙電芯鋰電池充電器 |
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Diodes雙向開關提供單電芯及雙電芯鋰電池充電保護 (2015.07.20)
Diodes公司推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，為電池充電電路提供精密的雙向低損耗開關。新產品的目標終端市場包括智慧型手機、平板電腦、相機和媒體播放器等可攜式產品使用的單電芯及雙電芯鋰電池充電器 |
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因應伺服器設計 性價比平衡為解決之道 (2015.07.09)
電源設計一直存在著數位設計與類比設計兩種作法，當然作法各有優劣，端看系統的實際需求而定。TI（德州儀器）在過去在電源管理領域也投入相當多的時間與資源，只是因應不同的應用市場，TI在市佔率的表現也有所不同 |
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因應伺服器設計 性價比平衡為解決之道 (2015.07.09)
電源設計一直存在著數位設計與類比設計兩種作法，當然作法各有優劣，端看系統的實際需求而定。TI（德州儀器）在過去在電源管理領域也投入相當多的時間與資源，只是因應不同的應用市場，TI在市佔率的表現也有所不同 |
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凌力爾特發表精準設定及回讀 PMBus 相容微型模組穩壓器 (2015.06.16)
凌力爾特（Linear）日前發表雙組9A或單一18A uModule（微型模組）降壓DC / DC穩壓器LTM4675，元件在小型11.9mm x 16mm x 3.51mm BGA封裝內包含了PMBus串列數位介面。I2C-based介面使系統設計者和遠端作業人員可指揮和監督系統的電源狀況和功耗 |
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凌力爾特發表精準設定及回讀 PMBus 相容微型模組穩壓器 (2015.06.16)
凌力爾特（Linear）日前發表雙組9A或單一18A uModule（微型模組）降壓DC / DC穩壓器LTM4675，元件在小型11.9mm x 16mm x 3.51mm BGA封裝內包含了PMBus串列數位介面。I2C-based介面使系統設計者和遠端作業人員可指揮和監督系統的電源狀況和功耗 |
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英飛凌參加德國紐倫堡PCIM 2015展會 (2015.05.21)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案 |
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英飛凌參加德國紐倫堡PCIM 2015展會 (2015.05.21)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案 |
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安森美半導體推出全新中壓N型通道MOSFET陣容 (2015.05.19)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。
這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS（on）值，從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能 |
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安森美半導體推出全新中壓N型通道MOSFET陣容 (2015.05.19)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。
(圖一)安森美半導體高能效單N型通道功率MOSFET系列可用於減少開關、傳導及驅動器功率損耗提升能效
這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS（on）值 |
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取代機電繼電器：英飛凌HITFET+開關產品系列首款BTF3050TE已量產 (2015.05.05)
（德國慕尼黑訊）因應從繼電器轉移到更耐用的半導體解決方案的趨勢，英飛凌科技（Infineon）推出最新 HITFET+ 保護型低側開關系列產品，HITFET+ 系列（高整合度過熱保護 MOSFET）搭載多功能組合，並內建診斷功能、短路耐用性、數位狀態回饋，以及轉換速率調整控制，可輕鬆平衡切換耗損，符合EMC標準 |
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取代機電繼電器：英飛凌HITFET+開關產品系列首款BTF3050TE已量產 (2015.05.05)
（德國慕尼黑訊）因應從繼電器轉移到更耐用的半導體解決方案的趨勢，英飛凌科技（Infineon）推出最新 HITFET+ 保護型低側開關系列產品，HITFET+ 系列（高整合度過熱保護 MOSFET）搭載多功能組合，並內建診斷功能、短路耐用性、數位狀態回饋，以及轉換速率調整控制，可輕鬆平衡切換耗損，符合EMC標準 |
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挑戰廣泛電源應用 TI推DC/DC升降壓控制器 (2015.04.09)
DC/DC升降壓晶片在電源管理市場中一直是技術層次較高的領域，所以能涵蓋的應用範圍相當的廣，但相對的，能夠駕馭這種高技術難度領域的，大多也是國際一線電源晶片業者為主 |
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挑戰廣泛電源應用 TI推DC/DC升降壓控制器 (2015.04.09)
DC/DC升降壓晶片在電源管理市場中一直是技術層次較高的領域，所以能涵蓋的應用範圍相當的廣，但相對的，能夠駕馭這種高技術難度領域的，大多也是國際一線電源晶片業者為主 |
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Diodes低功率單通道比較器提升低壓可攜式裝置電池效能 (2015.04.08)
Diodes公司為需要在低壓環境下操作的電池供電設備推出下一代單通道比較器AZV3001。新產品僅消耗6uA 的電流，並確保在1.6V到高達5.5V的電壓範圍內，因此適合標稱電源為1.8V、3.0V或5.0V的系統使用，例如手機、平板電腦及筆記型電腦，並提供高效能及延長電池壽命 |
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Diodes低功率單通道比較器提升低壓可攜式裝置電池效能 (2015.04.08)
Diodes公司為需要在低壓環境下操作的電池供電設備推出下一代單通道比較器AZV3001。新產品僅消耗6uA 的電流，並確保在1.6V到高達5.5V的電壓範圍內，因此適合標稱電源為1.8V、3.0V或5.0V的系統使用，例如手機、平板電腦及筆記型電腦，並提供高效能及延長電池壽命 |
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挾多重優勢 羅姆再推英特爾Atom平板電腦專用PMIC (2015.04.02)
我們都知道英特爾過往在嵌入式、平板電腦與Ultrabook等應用都投入了相當多的心力，而英特爾在IT與筆記型電腦應用都是主要的處理器供應商，所以相關的主機板乃至於週邊晶片業者，大多都會跟進英特爾所訂定的規範，以形成完整的生態體系，其中羅姆半導體與英特爾在電源管理晶片上的合作，更是行之有年 |
ITU最主要的工作就是制定無線傳輸設施的相關規範，例如手機、飛航通訊、航海通訊、衛星通訊系統、廣播電台和電視台等無線傳輸設施，
