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ST全新功率MOSFET提升汽車電氣系統能效 (2011.06.13)
意法半導體（ST）於日前推出9款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品組合，為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。
高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要 |
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CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C (2011.04.22)
高溫半導體方案供應商CISSOID日前宣佈，推出新款雙通道高溫40V N型金氧半場效電晶體（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
(圖一)CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C BigPic:395x250
CISSOID表示，該款採表貼、小型、密封式陶瓷SOIC16封裝 |
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CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C (2011.04.22)
高溫半導體方案供應商CISSOID日前宣佈，推出新款雙通道高溫40V N型金氧半場效電晶體（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
CISSOID表示，該款採表貼、小型、密封式陶瓷SOIC16封裝。此新元件可幫助設計者達到最高的系統密度，它可開關高達2安培電流及提供與其他CHT產品一樣，是一個可於-55°C至+225°C連續操作的解決方案 |
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士蘭微電子推出新一代高壓MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士蘭微電子近日宣佈，推出新一代高壓MOSFET產品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間 |
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士蘭微電子推出新一代高壓MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士蘭微電子近日宣佈，推出新一代高壓MOSFET產品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間 |
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瑞薩電子推出小型封裝之高性能車用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出32款容許電壓為40及55伏特（V）之新型N通道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培（A）的電流 |
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瑞薩電子推出小型封裝之高性能車用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出32款容許電壓為40及55伏特（V）之新型N通道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培（A）的電流 |
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Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特（Linear）於日前宣佈，推出新款H 等級版本的LTC4444/-5，其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計 |
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Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特（Linear）於日前宣佈，推出新款H 等級版本的LTC4444/-5，其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計 |
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瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量 |
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瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量 |
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瑞薩公佈新策略 預計達成兩位數平均年成長率 (2010.10.28)
瑞薩電子近日發表其強化功率半導體事業之新策略。瑞薩電子功率半導體事業規模約佔該公司三大核心事業群中類比及功率半導體（A&P）事業部門的四分之一。
瑞薩電子計畫採取以下策略：
(1)強化從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容
瑞薩電子將進一步強化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合併所實現的廣大產品內容 |
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瑞薩公佈新策略 預計達成兩位數平均年成長率 (2010.10.28)
瑞薩電子近日發表其強化功率半導體事業之新策略。瑞薩電子功率半導體事業規模約佔該公司三大核心事業群中類比及功率半導體（A&P）事業部門的四分之一。
瑞薩電子計畫採取以下策略：
(1)強化從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容
瑞薩電子將進一步強化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合併所實現的廣大產品內容 |
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下一代低VCEsat雙極電晶體 (2010.10.12)
近年來，中功率雙極電晶體在飽和電阻及功率選擇範圍上的重大改進，大幅擴展此類元件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率電晶體BISS 4充分凸顯雙極電晶體的技術優勢，為開關應用提供更高的功率與更低損耗，並開創新的應用領域 |
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瑞薩電子新款功率半導體 可使安裝面積減半 (2010.10.06)
瑞薩電子近日發表RJK0222DNS及RJK0223DNS之開發作業，這兩款功率半導體採用超小型封裝，可使用於DC/DC轉換器，供電給伺服器及筆記型電腦等產品之CPU、記憶體及其他電路區塊 |
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瑞薩電子新款功率半導體 可使安裝面積減半 (2010.10.06)
瑞薩電子近日發表RJK0222DNS及RJK0223DNS之開發作業，這兩款功率半導體採用超小型封裝，可使用於DC/DC轉換器，供電給伺服器及筆記型電腦等產品之CPU、記憶體及其他電路區塊 |
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瑞薩全新功率MOSFET因應電流量新需求 (2010.09.16)
瑞薩電子近日宣佈，推出最新第12代功率MOSFET產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點（POL）、基地台、電腦伺服器及筆電DC/DC轉換器中之功率半導體裝置。
上述新產品用以控制CPU及記憶體中的電壓轉換電路 |
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瑞薩全新功率MOSFET因應電流量新需求 (2010.09.16)
瑞薩電子近日宣佈，推出最新第12代功率MOSFET產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點（POL）、基地台、電腦伺服器及筆電DC/DC轉換器中之功率半導體裝置。
(圖一)瑞薩電子推出三款全新功率MOSFET，打造伺服器及筆電專用之高效能DC/DC轉換器 |
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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET (2010.05.07)
飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² （小於 D2PAK 的 150mm²），且高度僅 1mm（低於 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸極小，又具備標準的低寄生電感，為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計 |
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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET (2010.05.07)
飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² （小於 D2PAK 的 150mm²），且高度僅 1mm（低於 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸極小，又具備標準的低寄生電感，為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計 |
硬體組裝在一起，只是一堆相互無法聯繫的零件，零件要能相互聯絡、溝通與協調，才能構成整體的「系統」的基礎，而BIOS便扮演這樣的角色。
