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IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率 (2006.02.10)
國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用 |
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替代傳統共振方式 (2005.12.05)
電源供應器增加功率密度的壓力與日俱增，於是在這前提下產生了數個需求：改善半導體和被動元件的效益及創新架構，以便從全新半導體元件之功能中獲得有利的好處。本文將探討最近發展的高壓超接合面功率MOSFET以及矽晶碳化物Schottky二極體，並比較採用硬式切換或共振方式在性能、系統成本和可靠度方面的優缺點 |
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選擇正確的功率MOSFET封裝 (2004.07.01)
當終端設備對於電源效率的需求越高，電源管理系統中更高效能的元件也越被重視。由於矽科技在進化的過程中，漸漸使封裝成為元件達到更高效能的絆腳石，因此，為兼顧散熱需求與效率，引進更先進的功率MOSFET封裝勢在必行 |
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汽車電路保護技術概述 (2004.04.05)
汽車電子設備的設計必須具備防止反極性電源（reverse polarity），反極性電源的發生為當纜線連接到無電源、電池跨接錯誤或是新電池安裝倒反的狀態。本文就汽車的電子設備設計上，探討干擾若干系統之功效的缺失，並分析建議其可以改進之處 |
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強化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N通道電晶體，將舊型SOT23封裝MOSFET的導通電阻減半、漏電流提升一倍，在25°C環境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。
新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強化溝道MOSFET，採用Zetex SOT23封裝，再加上接點至環境的熱阻比舊型SOT23元件低37%，由每瓦特200°C銳減至125°C，這兩款元件更可發揮極大的效益 |
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強化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N通道電晶體，將舊型SOT23封裝MOSFET的導通電阻減半、漏電流提升一倍，在25°C環境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。
新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強化溝道MOSFET，採用Zetex SOT23封裝，再加上接點至環境的熱阻比舊型SOT23元件低37%，由每瓦特200°C銳減至125°C，這兩款元件更可發揮極大的效益 |
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電源啟動順序控制電路設計 (2003.11.05)
有許多應用需要在電源的開關過程中控制它的順序，電源啟動順序控制能解決避免雙載子積體電路在開關機過程中鎖死效應的問題，本文將就開關機過程中達成特定週期的數種電源啟動順序控制的設計方式作介紹 |
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三相位轉換器之建置與操作 (2002.08.05)
以具有極度瞬間響應（transient response）的低電壓供應穩定的電流，是IT電力管理的主要科技驅動器要素。本文將討論目前提供電力給 GHz 等級與 CPU 時所需要之 DC-DC 轉換器的特別要求、多相位拓樸學的優點，以及使用完整三相位同周期脈寬調變調節器積體電路的Intel VRM9.0 的建置情形 |
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合乎成本效益的 20V MOSFET 技術 (2002.06.05)
今日分散式電源供應器工程師所面臨的挑戰，是必須在尺寸精巧、最低成本的條件下，設計出熱、電效能良好的 DC-DC 轉換器。本文將討論如何採用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎經濟原則的情況下，設計出適用於桌上型電腦及伺服器的高效率 DC-DC 轉換器 |
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合乎成本效益的 20V MOSFET 技術 (2002.06.05)
今日分散式電源供應器工程師所面臨的挑戰，是必須在尺寸精巧、最低成本的條件下，設計出熱、電效能良好的 DC-DC 轉換器。本文將討論如何採用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎經濟原則的情況下，設計出適用於桌上型電腦及伺服器的高效率 DC-DC 轉換器 |
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IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
國際整流器公司(IR)，全面擴展20V HEXFET功率MOSFET系列，引進10種新款產品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌上型電腦中的30V元件，而且效能完全不變。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶體管系列 |
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IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
國際整流器公司(IR)，全面擴展20V HEXFET功率MOSFET系列，引進10種新款產品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌上型電腦中的30V元件，而且效能完全不變。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶體管系列 |
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IR發表新款HEXFET功率MOSFET晶體管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶體管系列
鎖定低功率電訊與數據通訊市場
全球供電產品領導事業廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR），宣佈推出產品代號為IRF5802與IRF7465的新型150V與200V MOSFET，不僅進一步擴展SOIC封裝的HEXFET功率MOSFET晶體管系列，更能滿足電信及數據通訊骨幹系統中DC-DC轉換器最低功率的需求 |
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IR發表新款HEXFET功率MOSFET晶體管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶體管系列
鎖定低功率電訊與數據通訊市場
全球供電產品領導事業廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR），宣佈推出產品代號為IRF5802與IRF7465的新型150V與200V MOSFET，不僅進一步擴展SOIC封裝的HEXFET功率MOSFET晶體管系列，更能滿足電信及數據通訊骨幹系統中DC-DC轉換器最低功率的需求 |
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具有完全保護功能的功率MOSFET電晶體 (1999.06.29)
STMicroelectronics目前推出其新一代完全自動保護低電壓功率MOSFET電晶體的第一個成員，以原OMNIFET系列產品為基礎，新的OMNIFET II系列採用了最新的VIPower M0-3技術，可以透過降低導通電阻、縮小架構體積以及更佳的穩固度和崩潰功率處理能力來達到更低的導通功率損耗 |
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具有完全保護功能的功率MOSFET電晶體 (1999.06.29)
STMicroelectronics目前推出其新一代完全自動保護低電壓功率MOSFET電晶體的第一個成員，以原OMNIFET系列產品為基礎，新的OMNIFET II系列採用了最新的VIPower M0-3技術，可以透過降低導通電阻、縮小架構體積以及更佳的穩固度和崩潰功率處理能力來達到更低的導通功率損耗 |
