CTIMES - Mosfet

專訪：英飛凌汽車動力部資深經理Johann Winter (2008.08.26)
一般的中型汽車內裝有大約50個小型的電動馬達。高度整合、快速變換、且具備脈寬調變（PWM）的馬達控制積體電路，可大幅降低能源消耗而有助於減碳節能。 Infineon汽車動力部資深行銷經理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支援電流量達70A之馬達驅動器，頻率可達25KHz的PWM

專訪：英飛凌汽車動力部資深經理Johann Winter (2008.08.26)
一般的中型汽車內裝有大約50個小型的電動馬達。高度整合、快速變換、且具備脈寬調變（PWM）的馬達控制積體電路，可大幅降低能源消耗而有助於減碳節能。 (圖一)圖為Infineon汽車動力部資深行銷經理Johann B. Winter

Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。 (圖一)Vishay推出採用具1.2mm×1.0mm業界最小占位面積的MICRO FOOT晶片級封裝的新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度

Linear發表高頻高輸入供應電壓MOSFET驅動器 (2008.06.16)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款高頻、高輸入供應電壓(100V)MOSFET驅動器LTC4446，其專為在雙電晶體順向轉換器中，驅動頂部和底部N通道電源MOSFET而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC控制器的其中一款後，可構成一完整的高效率雙電晶體順向轉換器、亦能設定為可快速執行運作的高壓DC開關

Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。 (圖一)Vishay新型Siliconix功率MOSFET為內業首款採用此封裝類型的12V器件，及就額定電壓及封裝尺寸而言，是具有業內最低導通電阻的MOSFET

Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件

IR全新30V DirectFET MOSFET系列問世 (2008.05.28)
國際整流器公司(IR)，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計

IR全新30V DirectFET MOSFET系列問世 (2008.05.28)
國際整流器公司(IR)，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 (圖一) 新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計

英飛凌最新OptiMOS 3 MOSFET 現已上市 (2008.05.28)
英飛凌科技於中國國際電源展覽會(CPS EXPO)的會展中，宣佈採用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封裝的OptiMOS 3 40V、60V和80V N通道MOSFET已上市，其無導線封裝處於上述崩潰電壓時，具備最低的導通電阻(RDS(on))

Avago推出低耗電8mm爬電距離閘極驅動光耦合器 (2008.03.19)
安華高科技(Avago)宣佈推出一款新閘極驅動光耦合器產品，具備2.5A最高尖峰輸出電流，Avago的新ACPL-K312滿足了低耗電需求，並帶來高抗雜訊能力，快速的IGBT開關切換可以改善效率，讓這些新閘極驅動光耦合器相當適合IGBT/MOSFET閘極驅動、交流與無刷直流馬達驅動、工業變頻器以及交換式電源等應用

安森美半導體推出新PWM降壓穩壓器系列 (2008.03.11)
高能效電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出NCP312x雙輸出脈寬調變(PWM)降壓穩壓器系列，提供獨特的自動追蹤和排序功能。這些新器件集成了MOSFET，提供2安培(A)(NCP3120、NCP3122)或3 A(NCP3121、NCP3123)輸出電流並具有高達2

ST推出新技術的功率MOSFET系列產品 (2008.03.10)
意法半導體宣佈推出兩款新的功率MOSFET產品，適用於DC-DC轉換器。新產品採用最新的ST獨有的STripFET技術，擁有極低的導電和轉換損耗，在一個典型的穩壓模組內，最大功耗小於3W

Vishay新型控制器IC 針對中間匯流排轉換器應用 (2008.03.02)
Vishay推出針對中間匯流排轉換器（IBC）應用的兩款新型控制器IC，這兩款器件是率先將高壓（75V）半橋 MOSFET驅動器與1.6A峰值電流驅動功能以及各種電流監控功能整合在一起的單晶片器件