CTIMES - Mosfet

Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。 (圖一)Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化

Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。 Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。 (圖一)Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET 現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻

安捷倫推出具備曲線追蹤儀功能的元件分析儀 (2008.12.24)
安捷倫科技（Agilent）宣佈推出首款功率元件分析儀/曲線追蹤儀整合解決方案，其可在高達3,000 V的電壓和20 A的電流下對半導體元件進行特性分析。功率元件，包括功率管理IC（PMIC）和功率MOSFET以及車用馬達控制IC，對於高功率與高準確度測試的需求與日俱增

Diodes新款自我保護式MOSFET節省85%電路板空間 (2008.12.23)
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出超小型的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封裝，能節省85%的電路板空間。扁平式SOT23F封裝雖然小巧，但熱性能卻相當強勁

Diodes新款自我保護式MOSFET節省85%電路板空間 (2008.12.23)
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出超小型的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封裝，能節省85%的電路板空間。 (圖一)Diodes新款自我保護式MOSFET節省85%電路板空間扁平式SOT23F封裝雖然小巧，但熱性能卻相當強勁

IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 (圖一)全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%

IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%

Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體 (2008.12.17)
Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝，其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合

高振幅的任意/函數產生器 (2008.12.08)
本文說明產生高振幅信號的常規方法與外部放大器，然後討論典型的應用，並介紹整合高振幅階段使用新型任意/函數產生器的效益。

快捷推出最薄的MicroFET MOSFET (2008.11.20)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今可攜式應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P通道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853則是20V P通道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極體，並採用2mm ×2mm×0.55mm MLP封裝

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

快捷P通道MOSFET採用CSP封裝 (2008.11.06)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出採用1×1.5×0.4mm WL-CSP封裝的單一P通道MOSFET元件FDZ391P，能滿足可攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。FDZ391P採用快捷半導體的1.5V額定電壓PowerTrench製程設計，結合先進的WL-CSP封裝，將RDS(ON) 和所需的PCB空間減至最小

Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積