帳號:
密碼:
 
CTIMES / Mosfet
科技
典故
連結電腦與周邊設備的高速公路——IEEE1394

IEEE1394是一種能讓電腦與周邊設備之間相互連結溝通的共同介面標準。如此迅速有效率的傳輸速度,便時常應用在連接訊號傳輸密度高、傳輸量大的周邊設備。
英飛凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飛凌科技公佈業界第一款900V的Superjunction(超級結)MOSFET,專門用於高效能SMPS(交換式電源供應)、工業及再生能源轉換。英飛凌推出新型節能CoolMos 900V功率MOSFET家族,突破功率電晶體製造上的"矽限制",提供使用標準型TO(電晶體管型)封裝即具高電壓設計的替代方案
英飛凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飛凌科技公佈業界第一款900V的Superjunction(超級結)MOSFET,專門用於高效能SMPS(交換式電源供應)、工業及再生能源轉換。英飛凌推出新型節能CoolMos 900V功率MOSFET家族,突破功率電晶體製造上的"矽限制",提供使用標準型TO(電晶體管型)封裝即具高電壓設計的替代方案
TI小型USB電源管理開關元件提供可調式限流功能 (2008.02.26)
德州儀器(TI)發表多款內含FET的電源分佈開關元件,提供100mA-1.1A限流設定範圍,適合需要限流開關功能的標準USB連接埠或其它應用。這款電源管理元件有效保護輸入電壓供應,避免手機、筆記型電腦、液晶電視、機上盒、遊戲機或網路電話使用USB連線時可能出現的短路故障
TI小型USB電源管理開關元件提供可調式限流功能 (2008.02.26)
德州儀器(TI)發表多款內含FET的電源分佈開關元件,提供100mA-1.1A限流設定範圍,適合需要限流開關功能的標準USB連接埠或其它應用。這款電源管理元件有效保護輸入電壓供應,避免手機、筆記型電腦、液晶電視、機上盒、遊戲機或網路電話使用USB連線時可能出現的短路故障
linear推出具可調限流之低電壓熱插拔控制器 (2008.02.20)
凌力爾特(Linear)針對保護供電電壓範圍為2.9V至 26.5V之卡板,推出LTC4218 Hot Swap控制器。當一個卡板插入底板時,大量湧浪電流將對負載供電波形產生干擾,造成同一排線上其它卡板的錯誤動作
linear推出具可調限流之低電壓熱插拔控制器 (2008.02.20)
凌力爾特(Linear)針對保護供電電壓範圍為2.9V至 26.5V之卡板,推出LTC4218 Hot Swap控制器。當一個卡板插入底板時,大量湧浪電流將對負載供電波形產生干擾,造成同一排線上其它卡板的錯誤動作
Vishay產品現可由Digi-Key供貨 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.與Digi-Key Corporation宣佈,Vishay的延伸性半導體產品,包括MOSFET、二極體、整流器、RF電晶體、光電及選擇性IC目前已可透過Digi-Key供貨。藉由此新產品陣容強化,Digi-Key現已負責經銷Vishay的半導體及被動元件全系列產品
Vishay產品現可由Digi-Key供貨 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.與Digi-Key Corporation宣佈,Vishay的延伸性半導體產品,包括MOSFET、二極體、整流器、RF電晶體、光電及選擇性IC目前已可透過Digi-Key供貨。藉由此新產品陣容強化,Digi-Key現已負責經銷Vishay的半導體及被動元件全系列產品
ST推出一款新的功率MOSFET (2007.12.04)
意法半導體宣佈推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L,具有極低的微歐姆導通電阻特性,對要求嚴格的電源供應系統而言,將有助於降低損耗並提升效率。這個新推出的高電流N-channel MOSFET是專為並聯供電而設計的,並聯供電廣泛地使用在伺服器應用以提升系統的可靠性
ST推出一款新的功率MOSFET (2007.12.04)
意法半導體宣佈推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L,具有極低的微歐姆導通電阻特性,對要求嚴格的電源供應系統而言,將有助於降低損耗並提升效率。這個新推出的高電流N-channel MOSFET是專為並聯供電而設計的,並聯供電廣泛地使用在伺服器應用以提升系統的可靠性
VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET,這些器件具有三種封裝選擇,可提供最佳的導通電阻性能,憑借這三款器件,公司將有助於提升固定電信網路的效率
VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET,這些器件具有三種封裝選擇,可提供最佳的導通電阻性能,憑借這三款器件,公司將有助於提升固定電信網路的效率
Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET,這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路,同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。 額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V~1.3V工作電壓保持一致,從而可實現更安全、更可靠的設計
Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET,這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路,同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。 (圖一)Vishay推出1
Linear發表2相同步降壓DC/DC控制器 (2007.07.06)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發表一款具95%高效率、雙組輸出同步降壓切換穩壓控制器LTC3850,其能驅動所有N通道電源MOSFET步階,並具備一致性或比例追蹤功能
Linear發表2相同步降壓DC/DC控制器 (2007.07.06)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發表一款具95%高效率、雙組輸出同步降壓切換穩壓控制器LTC3850,其能驅動所有N通道電源MOSFET步階,並具備一致性或比例追蹤功能
安森美半導體推出高性能諧振模式控制器 (2007.05.23)
高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396,這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計,包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等
安森美半導體推出高性能諧振模式控制器 (2007.05.23)
高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396,這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計,包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等
Linear發表100V電流模式同步降壓控制器 (2007.05.17)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款高輸入電壓同步降壓開關穩壓控制器LTC3810,其可直接從100V降壓至範圍從0.8V至93%輸入電壓的輸出電壓,且以單一電感設計不需變壓器
Fairchild新款產品適用PDP應用中的路徑開關 (2007.03.13)
快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N溝道MOSFET,這兩款產品經過特別設計,可為電漿顯示器(plasma display panel,PDP)應用提供系統效率和最佳化的占位空間

  十大熱門新聞
1 GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用
2 ROHM車載40V60V MOSFET產品陣容新增高可靠性小型新封裝產品

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2026 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw