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提升汽車應用 NXP採用LFPAK封裝MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半導體（NXP）近日成為第一家採用LFPAK封裝（一種小型熱增強的無損耗封裝）的全系列汽車功率MOSFET供應商。結合恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新型符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET被認為是功率SO-8封裝 |
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提升汽車應用 NXP採用LFPAK封裝MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半導體（NXP）近日成為第一家採用LFPAK封裝（一種小型熱增強的無損耗封裝）的全系列汽車功率MOSFET供應商。結合恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新型符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET被認為是功率SO-8封裝 |
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ROHM針對電池驅動行動裝置 新增0.9V驅動陣容 (2010.03.22)
ROHM近日宣佈，針對行動音響、錄音筆、電子辭典、隨身收音機、電子玩具等，行動裝置電源電路用MOSFET“ECOMOS”系列擴增其產品陣容，新增首創0.9Ｖ驅動產品。
此新產品已經開始樣品出貨（樣品價格10日圓／個），預定自2010年2月下旬開始量產 |
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ROHM針對電池驅動行動裝置 新增0.9V驅動陣容 (2010.03.22)
ROHM近日宣佈，針對行動音響、錄音筆、電子辭典、隨身收音機、電子玩具等，行動裝置電源電路用MOSFET“ECOMOS”系列擴增其產品陣容，新增首創0.9Ｖ驅動產品。
此新產品已經開始樣品出貨（樣品價格10日圓／個），預定自2010年2月下旬開始量產 |
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快捷推出高效率、節省空間的N溝道MOSFET器件 (2010.03.16)
因應手機、可攜式醫療設備和媒體播放機等可攜式應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入高效、節省空間的器件的需求，快捷半導體（Fairchild）推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench製程技術，具有更低的RDS（ON），更高的效率，並可延長電池壽命 |
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快捷推出高效率、節省空間的N溝道MOSFET器件 (2010.03.16)
因應手機、可攜式醫療設備和媒體播放機等可攜式應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入高效、節省空間的器件的需求，快捷半導體（Fairchild）推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench製程技術，具有更低的RDS（ON），更高的效率，並可延長電池壽命 |
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英飛凌推出OptiMOS穩壓MOSFET及DrMOS系列產品 (2010.03.08)
英飛凌科技近日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上，宣佈推出新款OptiMOS功率MOSFET系列產品。英飛凌所推出的OptiMOS 25V系列裝置經過最佳化，適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信/數據通訊之開關 |
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英飛凌推出OptiMOS穩壓MOSFET及DrMOS系列產品 (2010.03.08)
英飛凌科技近日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上，宣佈推出新款OptiMOS功率MOSFET系列產品。英飛凌所推出的OptiMOS 25V系列裝置經過最佳化，適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信/數據通訊之開關 |
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CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A |
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CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A |
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TI推全整合型Fusion Digital Power雙路功率驅動器 (2010.02.25)
德州儀器（TI）宣佈推出一款具備整合型功率MOSFET、保護區塊以及監控功能的數位雙路同步降壓功率驅動器，相較於業界標準的驅動器，此新產品可節省80%的電路板空間與元件使用量 |
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TI推全整合型Fusion Digital Power雙路功率驅動器 (2010.02.25)
德州儀器（TI）宣佈推出一款具備整合型功率MOSFET、保護區塊以及監控功能的數位雙路同步降壓功率驅動器，相較於業界標準的驅動器，此新產品可節省80%的電路板空間與元件使用量 |
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ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要 |
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ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要 |
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TI推出新款可降低頂部熱阻的功率MOSFET (2010.01.14)
德州儀器 (TI) 於昨日（1/13）宣佈，針對高電流DC/DC應用推出首款透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50%，並且提供了更好的散熱管理 |
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TI推出新款可降低頂部熱阻的功率MOSFET (2010.01.14)
德州儀器 (TI) 於昨日（1/13）宣佈，針對高電流DC/DC應用推出首款透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50%，並且提供了更好的散熱管理 |
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TI：大電流小體積是MOSFET發展終極趨勢 (2010.01.13)
德州儀器（TI）針對高電流DC/DC應用，推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50％ |
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TI：大電流小體積是MOSFET發展終極趨勢 (2010.01.13)
德州儀器（TI）針對高電流DC/DC應用，推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50％ |
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Diodes針對VoIP應用發表新型MOSFET元件 (2009.12.05)
Diodes公司於週三（11/2）宣佈，推出了兩款新型的N通道MOSFET元件，該公司表示，此款產品將能為VoIP 通訊設備的設計帶來更堅固，且能大幅簡化電路和成本的解決方案。
其全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K元件，針對多類型不同的VoIP應用而特別設計，滿足基於變壓器的用戶線路介面電路DC/DC轉換器對基本切換位置的嚴格要求 |
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Diodes針對VoIP應用發表新型MOSFET元件 (2009.12.05)
Diodes公司於週三（11/2）宣佈，推出了兩款新型的N通道MOSFET元件，該公司表示，此款產品將能為VoIP 通訊設備的設計帶來更堅固，且能大幅簡化電路和成本的解決方案。
其全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K元件，針對多類型不同的VoIP應用而特別設計，滿足基於變壓器的用戶線路介面電路DC/DC轉換器對基本切換位置的嚴格要求 |
