CTIMES - Mosfet

Fairchild新款產品適用PDP應用中的路徑開關 (2007.03.13)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N溝道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器（plasma display panel，PDP）應用提供系統效率和最佳化的占位空間

快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET (2007.03.12)
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N溝道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器(plasma display panel，PDP)應用提供業界領先的系統效率和最佳化的占位空間

快捷半導體推出光隔離MOSFET閘極驅動器 (2007.02.15)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）的功率產品系列又添新成員，宣佈推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動器系列的全新產品，能夠在工業應用中驅動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180（2A）和FOD3181（0.5A）具有200ns（最多）的上升/下降時間，能夠迅速開啓/關斷MOSFET以減小功率損耗

Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK元件 (2007.01.23)
Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件，從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。 (圖一)四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用

Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK元件 (2007.01.23)
Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件，從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用

ST高效能功率MOSFET產品提升照明應用性能 (2006.12.06)
功率半導體產品製造商意法半導體(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET產品的第一款產品。新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence及優異的動態和avalanche特性，可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗及強化其產品的效能和可靠性

奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ (2006.11.02)
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？

奈米世代下的半導體技術動向 (2006.10.04)
半導體元件的加工尺寸進入奈米世代，但利用微細化技術提高半導體元件性能的願望一直不易實現，因此出現許多性能提升指標，其中利用歪斜（strain）效應與元件結構三次元化等技術最受囑目

未來汽車之先進電子系統設計 (2006.09.05)
現今的汽車正把越來越多的電子產品整合進來。在 1995 到 2005 年間，汽車採用的半導體元件數量預期到 2009 年將增加至 425％，電子及電氣設備在汽車中所占比重預計也將從目前的15％攀升到2015年的35％

準諧振反馳式電源設計探討 (2006.08.07)
降低成本和增加可靠性是電源設計工程師的目標。利用準諧振技術可以協助設計工程師實現這些目標。準諧振或谷底開關能減輕MOSFET的設計壓力，並進而提高其可靠性。本文將描述準諧振架構背後的理論及其實作方式，並說明這類反馳式電源的使用價值

簡單閂鎖式過電流錯誤偵測電路介紹 (2006.08.07)
簡易閂鎖式過電流錯誤偵測電路可以在輸入電壓超過2.7V的150μs後立即提供保護，同時也可以透過外部P通道切換開關的閘極電壓限制在電源啟動時帶來衝入電流限制功能。本文將介紹應用於低電壓電路保護，具備快速反應能力的簡易過電流偵測電路

功率MOSFET PSPICE模型設計考量 (2006.04.01)
電源元件密度的持續增加與相關成本的持續壓縮，在過去幾年來對精確的熱能設計提出了更嚴苛的要求。因此，有關熱問題與電子系統效能間之相互影響的專有知識，是實現更具競爭力設計的關鍵

Linear新款充電控制器可充任何容量電容 (2006.02.21)
Linear發表一款專門設計以快速充電大電容至高達1000V的返馳控制器LT3750。LT3750可驅動一個外部高電流N通道MOSFET，並能在少於300ms的時間內對一個100uF電容充電至300V，使其成為專業照相閃光燈系統、RF 保全、庫存控制系統及特定高壓電源應用之理想選擇

ST新款功率MOSFET STD95N04 (2006.02.21)
ST發表一款專為汽車市場設計的大電流功率MOSFET，該元件採用ST專利的STripFET技術，可實現超低導通電阻。全新的STD95N04是40V的標準邏輯位準DPAK元件，最大導通電阻（RDS(on)）僅6.5m歐姆

IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率 (2006.02.10)
國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用