CTIMES - Mosfet

ADI推出全新的高速18伏特MOSFET驅動器家族 (2009.11.17)
美商亞德諾公司（ADI）於週一（11/16）宣佈，推出全新的高速18伏特 MOSFET驅動器家族，能提供2A 與4A 的峰值電流。其具有14ns至35ns（毫微秒）的最低傳播延遲以及10ns至25ns的邊緣上升 / 下降時間

IR推出基準工業級30V MOSFET (2009.08.27)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列工業認可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ，為不斷電系統（UPS）反相器、低電壓電動工具、ORing應用，以及網路通訊和伺服器電源等應用，提供非常低的閘電荷（Qg）

IR 150V和200V MOSFET可提供非常低閘電荷 (2009.08.19)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為包括開關模式電源（SMPS）、不斷電系統（UPS）、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用，提供非常低的閘電荷（Qg）

IR新款DirectFET MOSFET提供超低導通電阻 (2009.08.13)
國際整流器公司（IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型的25V元件提供業界最低的導通電阻（RDS(on)），並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等DC開關應用作出了最佳化

Diodes新型MOSFET元件專攻LED背光應用 (2009.08.12)
Diodes公司推出15款針對LCD電視和監視器背光應用的新型MOSFET元件，進一步擴展其多樣化的MOSFET 產品系列。新元件採用業界標準的TO252和SO8封裝，具有高功率處理能力和快速開關功能，滿足高效率CCFL驅動器架構的要求

Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用

Diodes推出新型MOSFET H橋元件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝，為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸，顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。 Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出，ZXMHC零件採用SO8封裝，設有兩對互補型N和P通道MOSFET，可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8互補型MOSFET封裝

Diodes推出新型MOSFET H橋元件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝，為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸，顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。 (圖一)Diodes新型MOSFET H橋元件，實現DC散熱扇和反相器設計

英飛凌推出下一代 CoolMOS MOSFET (2009.06.29)
英飛凌科技宣佈推出下一代 600V CoolMOS C6 系列高效能MOSFET。 600V CoolMOS C6 系列產品上市後，將可使功率因素校正 (PFC) 或脈寬調變級 (PWM stage) 等能源轉換應用更具節能效益。新的 C6 技術結合了最新超接面或補償裝置等多項優勢

IR推出增強型25V及30V MOSFET (2009.05.18)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型的25V及30V N-通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET (2009.05.06)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用