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快捷半導體智慧型高側開關為設計人員提供可靠的解決方案 (2012.05.11)
快捷半導體公司(Fairchild)日前開發出一款專門為汽車車身電子提供先進電氣負載控制的智慧型高側開關系列。該系列元件為離散式MOSFET設計提供替代方案，整合了保護和診斷功能，以減少元件數量，簡化印刷線路板設計，同時提高系統的可靠性 |
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Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50% |
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Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50% |
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Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出額定電壓為25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，適用於90W或以上的筆記型電腦和可攜型電腦的電源設計。這款元件能取代返馳式轉換器內效率欠佳的蕭特基二極體，並能減少多達70%的整流器損耗，有效提高3.5%的電源效率 |
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Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出額定電壓為25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，適用於90W或以上的筆記型電腦和可攜型電腦的電源設計。這款元件能取代返馳式轉換器內效率欠佳的蕭特基二極體，並能減少多達70%的整流器損耗，有效提高3.5%的電源效率 |
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TI推出4 A與5 A雙通道輸出MOSFET驅動器 (2012.01.11)
德州儀器（TI）日前宣佈推出3款雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大MOSFET驅動器產品陣營。
(圖一)TI推出3款雙通道輸出閘極驅動器 |
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TI推出4 A與5 A雙通道輸出MOSFET驅動器 (2012.01.11)
德州儀器（TI）日前宣佈推出3款雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大MOSFET驅動器產品陣營。
UCC27210與UCC27211是120 V啟動高側（high-side）與低側（low-side）雙通道輸出MOSFET驅動器，提供達4 A的輸出電流，且可消除驅動器輸入-10 V直流電（VDC）干擾 |
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ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品，擁有極低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度；對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效 |
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ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品，擁有極低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度；對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效 |
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Fairchild推出鋰離子電池組保護設計解決方案 (2011.12.22)
快捷半導體（Fairchild）近日開發出PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠縮小設計的外形尺寸，並提供所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計，具有N通道共同漏極MOSFET特性，能夠達成電流雙向流動 |
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Fairchild推出鋰離子電池組保護設計解決方案 (2011.12.22)
快捷半導體（Fairchild）近日開發出PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠縮小設計的外形尺寸，並提供所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計，具有N通道共同漏極MOSFET特性，能夠達成電流雙向流動 |
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Diodes推出12V新型P通道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助於提升電池效率和減少電路板空間，並滿足空間受限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機和平板電腦等。
(圖一)Diodes12V微型P通道强化型MOSFET以精密封裝，降低傳導損耗 |
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Diodes推出12V新型P通道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助於提升電池效率和減少電路板空間，並滿足空間受限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機和平板電腦等。
這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝，並具有極低的導通電阻（RDS(on)），能把傳導損耗降至最低，以延長電池壽命 |
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ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM於日前宣佈，推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張 |
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ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM於日前宣佈，推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張 |
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瑞薩推出適用消費性馬達驅動應用之功率半導體 (2011.08.03)
瑞薩電子（Renesas）於日前宣佈，開發出100安培大電流功率MOSFET，適用於消費性產品中的馬達驅動器，例如無線電動工具及動力輔助自行車，並藉此強化該公司功率半導體裝置的整體產品線 |
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瑞薩推出適用消費性馬達驅動應用之功率半導體 (2011.08.03)
瑞薩電子（Renesas）於日前宣佈，開發出100安培大電流功率MOSFET，適用於消費性產品中的馬達驅動器，例如無線電動工具及動力輔助自行車，並藉此強化該公司功率半導體裝置的整體產品線 |
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ST擴大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半導體（ST）於日前宣佈，擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。
ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、網路設備以及伺服器電源 |
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ST擴大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半導體（ST）於日前宣佈，擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。
(圖一)ST擴大第六代功率MOSFET産品系列
ST表示 |
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ST全新功率MOSFET提升汽車電氣系統能效 (2011.06.13)
意法半導體（ST）於日前推出9款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品組合，為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。
高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要 |
