帳號:
密碼:
 
CTIMES / Mosfet
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻 (2014.10.29)
工業應用所需的工具與元件較一般電子元件更講求堅固安全,國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻 (2014.10.29)
工業應用所需的工具與元件較一般電子元件更講求堅固安全,國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流
功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷,像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體(NS)等,都是全球半導體產業十分關注的焦點,而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器(IR),更是撼動了全球功率半導體市場
功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷,像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體(NS)等,都是全球半導體產業十分關注的焦點,而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器(IR),更是撼動了全球功率半導體市場
車用電子翻新 英飛凌顛覆MCU想像 (2014.04.16)
車用電子所涵蓋的半導體元件相當廣泛,一言以蔽之,就是既有的系統設計架構套上車用規範。也因此,從既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU(微控制器)、MPU(微處理器)等,這些元件都可以在車用電子中窺見其蹤影
車用電子翻新 英飛凌顛覆MCU想像 (2014.04.16)
車用電子所涵蓋的半導體元件相當廣泛,一言以蔽之,就是既有的系統設計架構套上車用規範。也因此,從既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU(微控制器)、MPU(微處理器)等,這些元件都可以在車用電子中窺見其蹤影
次晶片級封裝是行動裝置設計新良藥 (2013.11.29)
手機滲透率在已開發市場達到了很高比例,而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的資訊,先進的歐洲國家,其行動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來5年內刺激全球行動市場成長的最大因素
次晶片級封裝是行動裝置設計新良藥 (2013.11.29)
手機滲透率在已開發市場達到了很高比例,而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的資訊,先進的歐洲國家,其行動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來5年內刺激全球行動市場成長的最大因素
MOSFET封裝進步 幫助提供超前晶片組線路圖的行動功能 (2013.11.29)
面臨為需求若渴的行動裝置市場提供新功能壓力的設計人員,正在充分利用全新次晶片級封裝(sub-CSP)技術的優勢,使用標準IC來構建領先於晶片組路線圖的新設計。
能源採集大不易 突破點就在靜態電流 (2013.11.28)
能源採集這個議題在產業界的討論並不算是相當熱絡,廣泛來看,像是太陽能發電亦可以算是能源採集的一種。若將能源採集作一個簡單的定義,將不同的能量轉化為電能,就可等同視之
能源採集大不易 突破點就在靜態電流 (2013.11.28)
能源採集這個議題在產業界的討論並不算是相當熱絡,廣泛來看,像是太陽能發電亦可以算是能源採集的一種。若將能源採集作一個簡單的定義,將不同的能量轉化為電能,就可等同視之
最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻(RDS(on))和更快的開關性能
意法半導體推出採用TO-247封裝的650V車規MOSFET (2013.08.14)
意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數,有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性
意法半導體推出採用TO-247封裝的650V車規MOSFET (2013.08.14)
意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數,有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性
凌力爾特打造高品質工業用橋式整流器 (2013.06.14)
傳統採用二極體的橋式整流器,由於在運作過程會產生壓降,導致系統廠商在選用元件方面會產生很大的不便。也因此,凌力爾特採用兩組MOSFET來取代原有的二極體,有效提高了電源效率,並減少了穩壓過程的二極體壓降
凌力爾特打造高品質工業用橋式整流器 (2013.06.14)
傳統採用二極體的橋式整流器,由於在運作過程會產生壓降,導致系統廠商在選用元件方面會產生很大的不便。也因此,凌力爾特採用兩組MOSFET來取代原有的二極體,有效提高了電源效率,並減少了穩壓過程的二極體壓降
IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 (2013.01.23)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營,藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on)),包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源,以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器
IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 (2013.01.23)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營,藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on)),包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源,以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器
快捷半導體智慧型高側開關為設計人員提供可靠的解決方案 (2012.05.11)
快捷半導體公司(Fairchild)日前開發出一款專門為汽車車身電子提供先進電氣負載控制的智慧型高側開關系列。該系列元件為離散式MOSFET設計提供替代方案,整合了保護和診斷功能,以減少元件數量,簡化印刷線路板設計,同時提高系統的可靠性

  十大熱門新聞
1 GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用
2 ROHM車載40V60V MOSFET產品陣容新增高可靠性小型新封裝產品

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2026 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw