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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手機電池保護電路模組 (2023.03.03)
為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化，必須解決電源管理方面的需求，Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
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英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本 |
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英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本 |
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單晶片驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術 改善電源系統設計 (2022.10.27)
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模組（VRM）應用中的優勢。單晶片DrMOS元件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能 |
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認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式，元件方案，以及其應用範例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。 |
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ST推出LIN交流發電機穩壓器 提升12V汽車電氣系統性能 (2022.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出L9918車規交流發電機穩壓器，改良後的功能可提升12V汽車電氣系統之穩定度。
(圖一)意法半導體推出符合VDA標準的LIN交流發電機穩壓器
L9918車規交流發電機穩壓器內建一個MOSFET及一個續流二極體，MOSFET提供交流發電機勵磁電流，當勵磁關閉時，續流二極體將負責提供轉子電流 |
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ST推出LIN交流發電機穩壓器 提升12V汽車電氣系統性能 (2022.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出L9918車規交流發電機穩壓器，改良後的功能可提升12V汽車電氣系統之穩定度。
L9918車規交流發電機穩壓器內建一個MOSFET及一個續流二極體，MOSFET提供交流發電機勵磁電流，當勵磁關閉時，續流二極體將負責提供轉子電流 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備節能降噪特性 (2022.08.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊 |
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ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備節能降噪特性 (2022.08.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊 |
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意法半導體推出適合高啟動電流應用的單通道負載開關 (2022.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H與IPS1025H-32單通道可程式高邊開關。這兩款開關內建欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能，能智慧驅動高啟動電流的電容性負載、電阻性負載或電感性負載 |
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意法半導體推出適合高啟動電流應用的單通道負載開關 (2022.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H與IPS1025H-32單通道可程式高邊開關。這兩款開關內建欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能，能智慧驅動高啟動電流的電容性負載、電阻性負載或電感性負載 |
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東芝與Farnell合作加強供應鏈 擴大新品及創新範疇 (2022.06.15)
東芝電子歐洲銷售和行銷子公司東芝電子歐洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）擴大與Farnell的全球合作夥伴關係，Farnell為全球電子元件、產品和解決方案經銷商，在歐洲以Farnell、北美的紐瓦克和在亞太地區的e絡盟（element14）進行交易 |
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東芝與Farnell合作加強供應鏈 擴大新品及創新範疇 (2022.06.15)
東芝電子歐洲銷售和行銷子公司東芝電子歐洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）擴大與Farnell的全球合作夥伴關係，Farnell為全球電子元件、產品和解決方案經銷商，在歐洲以Farnell、北美的紐瓦克和在亞太地區的e絡盟（element14）進行交易 |
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東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓 |
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東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓 |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
IEEE1394是一種能讓電腦與周邊設備之間相互連結溝通的共同介面標準。如此迅速有效率的傳輸速度，便時常應用在連接訊號傳輸密度高、傳輸量大的周邊設備。
