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東芝推出功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件 (2018.08.06)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出針對車用三相無刷馬達應用的小型化功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件(IPD)。此款IC可應用於12V電動輔助轉向系統(EPS)、油/水泵、風扇馬達和電動渦輪增壓器等相關車用馬達驅動產品 |
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ADI高效率N通道切換開關湧浪抑制器 對150V瞬變提供保護 (2018.07.27)
亞德諾半導體(ADI)宣佈推出Power by Linear LTC7862，該元件為一款具有過壓和過電流保護的高效率切換開關湧浪抑制器，適於高可靠性系統應用。
(圖一)ADI高效率N通道切換開關湧浪抑制器針對150V瞬變提供保護
LTC7862 可驅動一N 通道功率 MOSFET 級 |
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ADI高效率N通道切換開關湧浪抑制器 對150V瞬變提供保護 (2018.07.27)
亞德諾半導體(ADI)宣佈推出Power by Linear LTC7862，該元件為一款具有過壓和過電流保護的高效率切換開關湧浪抑制器，適於高可靠性系統應用。
LTC7862 可驅動一N 通道功率 MOSFET 級 |
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搭載整合型MOSFET的最佳化降壓穩壓器將功率密度提升至新水準 (2018.07.26)
整合是固態電子產品的基礎，理想的方案是將所有降壓轉換器功能整合到一個單一、小型及高能效的元件中，以提供更強大的整體系統優勢。 |
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英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品 兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案 |
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意法半導體高功率電子式保險絲 提供整合型保護功能 (2018.07.20)
意法半導體（STMicroelectronics）STEF01可程式設計電子式保險絲，整合低導通電阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓範圍內，能夠維持高達4A的連續電流，不僅損耗低，還能將動作快速超載保護之優勢延續到額定功率更高的應用產品 |
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意法半導體高功率電子式保險絲 提供整合型保護功能 (2018.07.20)
意法半導體（STMicroelectronics）STEF01可程式設計電子式保險絲，整合低導通電阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓範圍內，能夠維持高達4A的連續電流，不僅損耗低，還能將動作快速超載保護之優勢延續到額定功率更高的應用產品 |
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Diodes Incorporated離線式變壓器專用小型同步整流MOSFET驅動器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次側同步整流 MOSFET 驅動器，可將 AC 電源轉成 DC 電源，提供 5V 至 20V 的電壓，提升離線式變壓器的效率。
APR346 可運作於連續導通模式 (CCM)、不連續導通模式 (DCM) 與準共振模式 (QR)，旨在驅動外部 MOSFET，充分發揮同步整流 (SR) 效益 |
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Diodes Incorporated離線式變壓器專用小型同步整流MOSFET驅動器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次側同步整流 MOSFET 驅動器，可將 AC 電源轉成 DC 電源，提供 5V 至 20V 的電壓，提升離線式變壓器的效率。
(圖一)Diodes Incorporated 推出離線式變壓器專用的小型同步整流 MOSFET 驅動器 |
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宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務 (2018.06.30)
隨著電子產品功能愈來愈多元，對於低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圓後段製程整合服務」 |
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宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務 (2018.06.30)
隨著電子產品功能愈來愈多元，對於低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圓後段製程整合服務」 |
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安森美推出新多晶片模組PWM降壓穩壓器系列 (2018.06.27)
安森美半導體（ON Semiconductor）推出3款新的高能效中壓脈寬調變（PWM）降壓轉換器。
安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉換器系列支援4.5 V至65 V的寬輸入電壓範圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結合經歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和穩健的故障保護 |
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安森美推出新多晶片模組PWM降壓穩壓器系列 (2018.06.27)
安森美半導體（ON Semiconductor）推出3款新的高能效中壓脈寬調變（PWM）降壓轉換器。
安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉換器系列支援4.5 V至65 V的寬輸入電壓範圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結合經歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和穩健的故障保護 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。
(圖一)美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝，實現高電流、高開關頻率和高效率 |
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美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。
這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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英飛凌CIPOS Mini IPM提高低功率馬達效率 (2018.05.25)
全球能源效率標準通常禁止製造商進口或銷售未符合標準的產品，為了滿足特定的基本要求，必須透過使用最新技術減少能源損耗，英飛凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513產品 |
