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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE,这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体(IGBT)。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出,支援量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低
Microchip全新车载充电器解决方案支援车辆关键应用 (2024.06.11)
因应节能减碳排放的迫切需求,电池电动汽车(BEV)和??电式混合动力电动汽车(PHEV)市场持续增长。车载充电器是电动汽车的关键应用之一,将交流电转换为直流电,为汽车高压电池充电
Diodes新款高额定电流负载开关为数位 IC智慧供电 (2024.06.06)
Diodes 公司扩展DML30xx 智慧负载开关系列推出四款新产品:DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 与 DML3012LDC,可针对 0.5V 至 20V 的电源轨达成高电流 (10.5A 至 15A)电源域开关控制。透过这些元件的嵌入式功能,可以高效处理有关微控制器、显示卡、ASIC、FPGA 与记忆体晶片供电的多样需求
吉利汽车与ST签署碳化矽长期供应协定 共同推动新能源汽车转型 (2024.06.05)
吉利汽车与ST成立创新联合实验室 推动新能源汽车转型 签署碳化矽长期供应协定 · 意法半导体第三代SiC MOSFET协助吉利汽车集团纯电车型提升电驱效能 全球半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)与全球汽车及新能源汽车车商吉利汽车集团宣布,双方签署碳化矽(SiC)元件长期供应协议,加速碳化矽元件的合作
TrendForce:美关税壁垒加速转单 台晶圆厂产能利用率上升 (2024.05.23)
继美国白宫5月14日宣布对中国大陆进囗产品加徵关税之後,其中决议在2025年前对大陆制造的半导体产品课徵高达50%关税。依TrendForce观察,此举恐加速供应链出现转单潮,台系晶圆代工厂产能利用率上升幅度优於预期
意法半导体推出灵活同步整流控制器 提升矽基或氮化??功率转换器效能 (2024.05.14)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)新款SRK1004同步整流控制器降低采用矽基或GaN电晶体之功率转换器的设计难度并提升转换效能,目标应用包括工业电源、携带式装置充电器和AC/DC转接器
ROHM首创低功耗类比数位融合控制电源解决方案 (2024.05.09)
半导体制造商ROHM针对中小功率(30W~1kW级)的工业和消费性电子设备, 开始供应LogiCoA电源解决方案,将能以类比控制电源等级的低功耗和低成本,实现与全数位控制电源同等功能
2024.5(第390期)PCIe 6.0高速数位传输 (2024.05.07)
AI对运算速度和数据处理有极高要求, PCIe在AI伺服器或AI PC将扮演关键。 PCIe 7.0优势是更高的传输性能, 以及更隹的能源效率。 透过高速讯号测试设备, 能提供PCIe完整测试验证
挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略 (2024.04.29)
随着电动车持续发展,300英里成为标准,续航里程焦虑开始消散。 各国已制定不同的电动车标准,以因应不同的需求和应用。 透过实验室模拟,才是验证电动车和充电桩互通性的最隹方法
英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统(PV-ES)市场快速增长。光储市场竞争加速,提高功率密度成为厂商得胜关键;英飞凌科技(Infineon)为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件,共同推动绿色能源发展
P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较,并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET,以及探究其目标应用。
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技(Infineon)推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装
英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式(DAB)、HERIC、降压/升压和相移全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性 (2024.03.28)
英飞凌科技(Infineon)推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列,全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动堆高机等应用提供出色的性能。新款MOSFET产品的导通损耗和开关性能都更加优化,降低电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益於用於伺服器、电信、储能系统(ESS)、音讯、太阳能等用途的各种开关应用
ST碳化矽数位电源解决方案被肯微科技采用於高效伺服器电源供应器设计 (2024.03.22)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作,设计及研发使用ST领先业界的碳化矽(SiC)、电气隔离和微控制器的伺服器电源叁考设计技术
48 V低速电动车叁考设计 微型交通技术加速发展 (2024.03.22)
许多国家致力於实现气候目标,促使城市交通实现零排放。除了乘用汽车的电气化之外,低速电动车也能做出重要贡献。
英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飞凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置,除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求,即使面对严格的高电压和开关频率要求,也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率
Microchip新型整合马达驱动器整合控制器、栅极驱动器和通信效能 (2024.02.27)
Microchip推出基於 dsPIC 数位讯号控制器(DSC)的新型整合马达驱动器系列,能够在空间受限的应用中实现高效、即时的嵌入式马达控制系统。该系列元件在一个封装中整合dsPIC33 数位讯号控制器(DSC)、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD 收发器
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展,从而实现更高的效能和更小的尺寸,并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。
Microchip 3.3 kV XIFM 随??即用mSiC 栅极驱动器上市 (2024.02.23)
碳化矽(SiC)技术在交通、电网和重型商用车等中高压应用领域的采用日渐广泛。Microchip今日推出采用Augmented Switching专利技术的3.3 kV XIFM 随??即用mSiC栅极驱动器。该驱动器采用预配置模组设置,开箱即用,可大幅缩短开发人员设计和评估时间,帮助部署SiC解决方案并快速推进开发流程


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