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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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M31與高塔半導體合作 開發65奈米SRAM和ROM記憶體 (2024.08.04)
M31 Technology宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）合作，成功開發65奈米製程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並將設計模組交付客戶端完成驗證，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體）所設計的電路架構，能夠滿足SoC晶片嚴格的低功耗要求 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款整合型氮化鎵器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm與適配器USB PD控制器IC供應商偉詮電子Weltrend Semiconductor）今（25）日推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP組成首個基於 Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列 |
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ST碳化矽數位電源方案被肯微科技採用於高效伺服器電源供應器 (2024.03.22)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發使用ST領先業界的碳化矽（SiC）、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術 |
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台團隊實現二維材料鐵電電晶體 次世代記憶體內運算有望成真 (2024.02.21)
由臺灣師範大學物理系藍彥文教授與陸亭樺教授組成的聯合研究團隊，在鐵電材料領域取得了重大突破，開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體(ST-3R MoS2 FeS-FET)，厚度僅有1 |
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Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能，因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求 |
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Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度 |
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Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計 |
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TI：擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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落實工業4.0 為移動機器人部署無線充電技術 (2023.07.21)
對於工業工廠來說，移動機器人必須定期充電的挑戰日益嚴峻。無線充電空間做出的改進，能夠讓機器人變得更靈活，進而提高了工廠的製造能力和效率；無線充電技術正日益成為製造業的關鍵因素 |
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Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵（GaN）功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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EPC新推EPC9186馬達控制逆變器 實現更長續航里程 (2023.05.11)
宜普電源轉換公司（EPC）新推EPC9186，這是一款採用EPC2302 eGaN FET的三相BLDC馬達控制逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用 |
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英飛凌推出PMG1-B1 PD高壓微控制器 簡化嵌入式系統設計 (2023.04.27)
USB-C在消費電子產業已成為連接器首選，被廣泛採用，有望取代大多數高達240 W的傳統電源適配器。隨著全球過渡到採用USB-C的直流電源，快速充電協議日漸普及，電源的功能性和使用者體驗也得到進一步提升 |
