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討論新聞主題﹕貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用

新聞 提要
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。 QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用。 GaN技術的效能與可靠度已獲實證考驗,為基礎架構、國防與航太應用的最佳選擇,適用於雷達、通訊、導航與類似應用。其效能等級更為提升,讓設計人員在節省基板空間、降低系統成本等方面擁有更多彈性,並改善系統效能。 貿澤電子所供應的Qorvo QPD1025L為高電子遷移率電晶體 (HEMT),同時支援脈衝與連續波 (CW) 運作,能更有效地提供等同於矽基LDMOS裝置的效能

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