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以固態繼電器簡化高電壓應用中的絕緣監控設計 (2024.03.11)
快速準確偵測隔離中的故障,是強化使用者安全和降低災難性電力中斷所造成損害或火災的重要關鍵。
EV GROUP將革命性薄膜轉移技術投入量產 (2023.12.12)
EV Group(EVG)宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剝離系統,這是首款採用EVG革命性NanoCleave技術的產品平台。EVG850 NanoCleave系統使用紅外線(IR)雷射搭配特殊的無機物材質,在透過實際驗證且可供量產(HVM)的平台上,以奈米精度讓已完成鍵合、沉積或增長的薄膜從矽載具基板釋放
宜普:氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 (GaN)技術在各產業中扮演起重要的角色,中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外,中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司,並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展
Magnachip擴展用於行動裝置電池保護電路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)採用超短通道技術,擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。 超短溝道是Magnachip的最新設計技術,通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron(MOSFET在導通狀態操作期間的電阻)
NXP攜手台積電 推出16奈米車用嵌入式MRAM (2023.05.16)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今(16)日宣布與台灣積體電路製造股份有限公司(TSMC)合作,推出業界首款採用16奈米(nm)鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory;MRAM)
imec觀點:微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中,比利時微電子研究中心(imec)先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點,聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。
看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時,人工智慧應用越來越廣泛,未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性,需要經過改良的高性能半導體技術
Diodes推出ZXMS81045SPQ高側切換器 確保車用系統可靠性 (2023.02.23)
Diodes宣布推出DIODES ZXMS81045SPQ,這是旗下首款自我防護型且符合汽車規範的高側IntelliFET產品。這款小尺寸裝置能提供高功率電源,同時具有保護和診斷功能,適用於驅動12V車用裝置負載,如汽車車身控制和照明系統中的LED、燈泡、致動器和馬達
imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了最新的半鑲嵌整合方案,透過導入VHV繞線技術(vertical-horizontal-vertical)來實現4軌(4T)標準單元設計,加速元件微縮
ADI矩陣LED顯示器驅動器支援友達車用寬螢幕 提升駕駛安全性 (2022.11.03)
Analog Devices, Inc宣佈友達光電將在其領先的車用寬螢幕顯示器產品系列中採用ADI矩陣LED顯示器驅動器技術。透過此項領先業界的技術支援局部調光,可將功耗明顯降低至少50%,並滿足功能安全要求
EVG推出NanoCleave薄膜釋放技術 使先進封裝促成3D堆疊 (2022.09.13)
EV Group(EVG)今日宣布推出NanoCleave技術,這是一種供矽晶圓使用的革命性薄膜釋放技術,此技術使得先進邏輯、記憶體與功率元件的製作及半導體先進封裝的前段處理製程,能使用超薄的薄膜堆疊
Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)
工業儲存技術再進化! (2022.08.26)
近年來,半導體先進製程微縮趨勢帶動下,加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進,3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據
關於台積電的2奈米製程,我們該注意什麼? (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖,有什麼重要性?又會帶出哪些半導體製造技術的風向球?本文就從技術演進,以及市場競爭與成本的角度來切入分析。
功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來,功率半導體以矽為基礎,但碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導體材料出現,讓功率半導體元件的應用更為多元。
推動2D/3D IC升級 打造絕無僅有生醫感測晶片 (2022.06.22)
隨著半導體先進製程推進到2奈米(nm)之後,晶片微縮電路的布線與架構,就成為性能與可靠度的發展關鍵,而imec的論文則為2奈米以下的晶片製程找到了一條兼具可行性與可靠度的道路
imec首度展示晶背供電邏輯IC佈線方案 推動2D/3D IC升級 (2022.06.17)
比利時微電子研究中心(imec)於本周舉行的2022年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC佈線方案,利用奈米矽穿孔(nTSV)結構,將晶圓正面的元件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上
新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場,結合HEMT的電晶體結構,就能打造新一代的元件與晶片。
意法半導體車規閘極驅動器提升馬達控制的靈活性 (2022.04.21)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出之L9908高整合度車規三相閘極驅動單元(Gate Driver Unit,GDU)支援12V、24V或48V汽車電源系統,具有彈性的輸入輸出通道,可在傳統油車和油電混合車上實現多種應用
評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。


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