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凌华科技推出SMARC规格嵌入式计算机LEC-3517 (2014.04.22)
凌华科技发布基于ARM架构的SMARC（Smart Mobility Architecture）计算机产品 LEC-3517。凌华科技LEC-3517采用TI AM3517单芯片系统SoC（System on Chip），搭配600MHz的ARM Cortex-A8处理器，功率低至2瓦以下 |
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华邦电子进军车用闪存市场 (2012.03.06)
华邦电子是获得 ISO/TS16949 认证的半导体制造商，具备最先进的制造设施，原本就供应汽车业各种利基型 DRAM，如今将利用一系列工业及车用级的 SpiFlash 装置，满足市场对串行式闪存快速成长的需求 |
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LPDDR2可望当家 Wide I/O不容小觑 (2011.05.09)
行动DRAM记忆体的发展样貌正在改变当中，LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1，成为行动DRAM的主流记忆体规格。但其他新兴技术急起直追的态势，也值得密切注意 |
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智能手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨 (2011.04.13)
在智能型手机和媒体平板装置的带动下，行动DRAM（Mobile DRAM）需求也随之水涨船高，包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）的声势正不断看涨。
2010年全球DRAM市场规模为391亿美元，行动装置相关应用就占14％，达到55亿美元 |
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科统支持ADMUX/Burst Mode手机MCP获基频大厂认证 (2011.01.10)
科统科技（MemoCom）于日前宣布，其支持ADMUX/Burst Mode数据、地址混合技术与爆发模式之手机MCP，已获得多家基频大厂认证通过，除了提升手机内存兼容性，加速手机产品上市时程，获得认证之MCP也皆已于2009年大量交货，并已全面导入手机设计大厂产品线 |
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iPad帶領平板電腦產業走向泡沫？ (2010.07.14)
iPad帶領平板電腦產業走向泡沫？ |
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宇瞻发表HP彩色激光打印机专用内存模块 (2010.04.16)
宇瞻科技（Apacer）近日宣布，全新发表HP彩色激光打印机Color LaserJet Enterprise CP4020/CP4520系列所设计的DDR2内存模块。宇瞻此次推出之DDR2 200pin x32 DIMM内存模块，拥有256MB与512MB两种容量，用户除了使用原本内建的512MB标准内存外，也可透过插槽将容量扩充，以满足企业大量打印的需求 |
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提升SSD效能设计与测试要点 (2009.04.03)
欲提升SSD运作效能，控制晶片角色关键，须克服SSD在稳定性、可靠度与使用寿命等课题。除此之外，还要从模组内部考量控制IC与NAND Flash，并且一并从外部系统整合角度，考量提升速度、使用寿命及相容性等要点 |
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华邦将于台北国际电子展推出高应用度之SDRAM (2008.09.30)
华邦科技将于台北国际电子展中展出高应用度之SDRAM产品，包括: 16Mb(W9816系列), 64Mb(W9864 and W9464系列), 128Mb(W9812 and W9412系列), 256Mb(W9825 and W9425系列)。华邦所有产品通过ROHS标准，且符合日本绿色采购调查标准化协会(JGPSSI) 严苛标准，且适用于各类型的电子产品上 |
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华邦电子推出低功率行动内存 (2008.02.29)
华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳（3/3-4深圳会展中）、上海（3/10-11上海世贸商城），届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗易失存储器及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗易失存储器512Mb Low Power DRAM |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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华邦电子参与中国杭州电子信息博览会 (2007.09.04)
华邦电子将于2007年9月5日至9月8日参加由台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA），商务部外贸发展事务局及杭州市人民政府共同举办的中国杭州电子信息博览会，于此会中将展出华邦两大系列行动内存产品－低功耗易失存储器及虚拟静态内存 |
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低价计算机掀起PC产业革命 (2007.07.02)
个人计算机发展至今，虽然仍是热门的产品，但其销售成长已呈现缓滞的现象，没有人愿意眼睁睁看着市场的停滞不前。因此，他们努力往两个方向去拓展：一是想打入消费性电子的领域，尤其是进入客厅成为视听娱乐的伺服中心；另一个方向则是走出经济发达国家的市场范围，以低价计算机来开创全新的市场契机 |
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新世代游戏主机设计哲学比析 (2006.10.25)
根据过往Sony所言，游戏主机的生命周期约为4年，即每4年更替一个世代，因此2005年底～2006年底相继登场的三款新主机，未来至少会在全球市场上持续较量到2008年～2011年，日后即便主机有进行强化、提升，但主体架构仍不会有太多的变动 |
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良率不佳及产能延迟 DRAM供给Q4吃紧 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供给面恐不如预期，继先前华亚爆出90奈米良率不佳的问题后，近期也传三星80奈米良率不稳，及三星新十二吋DRAM厂Fab15产能要等到明年以后才开出，此举恐导致第四季DRAM供给告急压力将再度升高 |
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DRAM价涨 厂商对下半年景气表乐观 (2006.05.04)
受到国际DRAM大厂将主产能调配生产NAND闪存及利基型DRAM影响，四月虽然进入传统市场淡季，但现货价及合约价均维持涨势，淡季不淡的现象十分明显，因此扩大参加台北国际半导体产业展的南亚科技及力晶半导体等二家国内DRAM厂 |
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PC绘图内存技术架构与发展 (2006.05.02)
过去五年来，高阶绘图系统的内存带宽每年以30％的速度成长。绘图内存系统的带宽远远超过PC主存储器的带宽。2004年，256Mbit GDDR3产品正式出现在市场中，本文将就新一代的绘图内存GDDR3的技术架构介绍与市场发展等，为读者作详细的介绍 |
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受产能排挤影响 DRAM价格大幅上扬 (2006.04.19)
受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配，以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响，四月以来DRAM现货价格明显向上拉高，其中又以DDR价格上涨动力最强，有效测试（eTT）256Mb DDR十八日单日就大涨逾5％收2.35美元 |
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DRAMeXchange：淡季DDR价格底部即将浮现 (2006.03.21)
DRAMeXchange指数(DRAM总产值综合指数)于本月份7号到13号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT价格维持在1.79美元并无太大变化 |
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2月下旬DRAM价格小跌 Flash则大跌18～25% (2006.02.26)
过去一周，DRAMeXChange指数由2月中的3078下降至3052，主要反应DDR价格仍持续走跌。现货市场方面，DDR与DDR2近期交易清淡，DDR2部分，Elpida在现货市场有降价动作，DDR2 533MHz 512Mb价格由5.28美元小幅下跌至5.27美元 |
