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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧（AI）應用需求不斷增加，依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議，共通過4項計畫。
其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶 |
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Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體 |
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深耕智能快充技術 富采旗下威力赫電子打入日系車廠 (2023.04.13)
威力赫電子為富采控股旗下專注於快充技術與產品之公司，其 PD(Power Delivery)快充產品傳出導入日系知名汽車品牌中，並將在Touch Taiwan展會中展出。
威力赫電子的PD系列採用關係企業漢威光電650V氮化鎵功率半導體 |
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Transphorm 240瓦電源適配器參考設計使用TO-220封裝氮化鎵功率管 (2023.01.13)
氮化鎵（GAN）電源轉換產品供應商Transphorm公司推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計方案採用CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結構，功率密度高達30W/in3，最大功率轉換效率超過96% |
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Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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前進SEMICON JAPAN 工研院推出全球首創EMAB技術 (2022.12.14)
基於高階晶片需求隨著行動裝置功能提升而大幅提升，唯有異質整合才能讓晶片兼具輕薄短小與散熱、降低成本。經濟部技術處補助工研院投入創新技術開發，在2022年SEMICON JAPAN展中 |
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宏光氮化鎵功率元件晶圓正式投產 實現GaN商業化落地 (2022.11.02)
宏光半導體有限公司宣佈，已開始生產其自家6英寸氮化鎵（「GaN」）功率元件晶圓，遠早於預期時間表，乃其轉型成為第三代半導體GaN 供應商的重要成果。
宏光半導體近年積極實現相關業務轉型 |
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碇基半導體獲4.56億元投資 加速開發氮化鎵功率半導體 (2022.09.14)
台達子公司碇基半導體，宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，且在這次增資的同時，獲得了與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同 |
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大聯大詮鼎推出AOS高效率主動式橋式整流器電源方案 (2022.06.09)
大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於萬代半導體（Alpha and Omega Semiconductor Limited，簡稱AOS）AOZ7200CI晶片的高效率主動式橋式整流器電源方案。
當前的電源產品正向著輕薄、小巧的方向發展 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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ROHM與台達締結戰略合作夥伴關係 實現GaN功率元件量產 (2022.04.27)
羅姆半導體集團（ROHM Semiconductor）宣布與台達電子（Delta Electronics, Inc.）在第三代半導體GaN（氮化鎵）功率元件的研發、量產上締結戰略合作夥伴關係。
具體合作內容乃結合台達長年累積的先端電源研發技術，與ROHM的功率元件研發、製造技術，共同研發電源系統中運用範圍極為廣泛的GaN功率元件（600V） |
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EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
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英飛凌投資擴大馬來西亞前端製造工廠 提升SiC和GaN產能 (2022.02.22)
為了大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區 |
