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英飛凌榮獲群光電能頒發「氮化鎵策略合作夥伴獎」 (2024.04.15)
群光電能（Chicony Power；簡稱群電）宣布其年度合作夥伴英飛凌科技（Infineon）脫穎而出，榮獲2023年度「氮化鎵策略合作夥伴獎」。英飛凌憑藉其運用於筆電、電競、伺服器與儲存設備等資通訊（ICT）應用的氮化鎵（GaN）電源供應器解決方案 |
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英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技（infineon）近日宣佈與安克創新（Anker Innovations）在深圳聯合成立創新應用中心 |
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Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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英飛凌完成收購GaN Systems 成為氮化鎵龍頭企業 (2023.10.25)
英飛凌科技宣佈完成收購 GaN Systems 公司。這家總部位於加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束後，GaN Systems 已正式成為英飛凌的一部分 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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英飛凌攜手群光電能提升氮化鎵PD3.1筆電電源供應器效能 (2023.08.17)
英飛凌科技（Infineon）透過運用氮化鎵（GaN）半導體賦予電源轉換器更高的效能、更精簡的體積以及更低的能耗。群光電能（Chicony Power）與英飛凌強化合作，提高其最新PD3.1筆記型電腦電源供應器系列的效能 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體 |
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電氣化趨勢不可逆 寬能隙技術助電動車市場躍升 (2023.04.17)
汽車動力系統正從內燃機轉向電動機，這是一個不可阻擋的趨勢。
寬能隙半導體材料在功率利用和開關頻率方面具有獨特的優勢。
只有寬能隙半導體能夠實現電動車的目標，協助汽車向永續出行的發展 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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英飛凌以8.3億美元收購GaN Systems 強化電源系統領導地位 (2023.03.03)
英飛凌與GaN Systems宣布．兩家公司已簽署最終協議，英飛凌將以8.3億美元的價格收購GaN Systems。GaN Systems是開發基於氮化鎵的電源轉換解決方案的全球技術領導者，總部位於加拿大渥太華，擁有200多名員工 |
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大聯大詮鼎推出高效超薄型200W LED驅動電源方案 (2022.09.15)
大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。
隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計 |
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Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS) |
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EPC推出ePower功率級積體電路 實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11)
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用 |
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英飛凌HFB控制器XDP與CoolGaN IPS 實現高功率密度 (2022.08.04)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。這一趨勢也為工程師帶來一道「難題」：如何在更小的尺寸內實現更高的功率水準，同時滿足散熱要求 |
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飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中採用Transphorm公司的氮化鎵（GaN）技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平台，具有系統設計簡單，元件數量少，高性能，高可靠等優點 |
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節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢，其節能效果非常出色。
碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點，各自的應用情境也有所不同。
寬能隙技術已經催生出一系列相關應用，協助達成碳中和的企業目標 |
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與病毒共存的COMPUTEX少了人潮多了看展樂趣！ (2022.06.25)
COMPUTEX 2022實體展，受到疫情的影響，實體的展覽攤位數與面積都較以往縮減，參觀人數也大不如前。然而整體的看展品質，卻受惠於更餘裕的交流空間而有所提升，多添了新的樂趣 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
