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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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SCHURTER新型FXP保險絲座適合超高功率應用 (2023.07.21)
封閉式的保險絲座精細優良：保險絲能被妥善保護，也容易替換。根據IEC-60127-6標準， 以往的限制是16A。碩特（SCHURTER）發起的標準擴展讓限制成為歷史。新款 FXP保險絲座是為額定電流最高設是25A（IEC標準）或 45A（UL標準）的 6.3x32保險絲設計 |
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英飛凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半橋驅動器IC系列 (2023.05.12)
英飛凌科技股份有限公司繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V絕緣體上矽（SOI）三相閘極驅動器之後，現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器IC系列的半橋配置補充了現有的1200V SOI系列，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性 |
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英飛凌QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝註冊為JEDEC標準 (2023.04.14)
追求高效率的高功率應用持續往更高功率密度及成本最佳化發展，也為電動車等產業創造了永續價值。為了應對相應的挑戰，英飛凌今日宣布其高壓MOSFET適用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻（TSC）封裝已成功註冊為JEDEC標準 |
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ICAA：以交流平台鏈結產業上下游夥伴 共謀智慧新未來 (2023.03.31)
近來ChatGPT引爆科技應用的無限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主導的新時代翩然到來。迎合新一階段的智慧化浪潮，智慧產業電腦物聯網協會(ICAA)與大聯大控股世平集團透過「智慧物聯 連接未來」交流會 |
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雷射銲接溯源擴大應用 (2022.12.25)
造就其中核心的光纖/半導體雷射源及模組架構不斷推陳出新。但台廠技術能量與成本競爭力仍有落差，如今則可望迎接國際節能減碳的潮流而帶來轉機。 |
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Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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MIC預測2023臺灣ICT產業十大趨勢 減碳與ESG入列 (2022.12.14)
國際淨零轉型浪潮來襲，為協助產業掌握未來新興趨勢優化競爭力，資策會產業情報研究所（MIC）於今（14）日舉行《2023年臺灣資通訊產業前景》記者會，發布2023年十大趨勢：
一、國際淨零轉型要求提高，因應國際淨零規範與品牌客戶要求，台廠加速淨零資源投入 |
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Convergent Photonics採用艾邁斯歐司朗CoS封裝藍光雷射二極體 (2022.12.01)
艾邁斯歐司朗宣佈， Convergent Photonics正在開發新型雷射器模組，將採用艾邁斯歐司朗CoS（Chip-on-submount）封裝形式的新型445奈米藍光雷射二極體，，非常適合高功率工業應用和中等功率醫療應用 |
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台灣團隊創新研發佳績 2023 ISSCC入選23篇論文搶先發表 (2022.11.15)
國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向來有IC設計領域奧林匹克大會之稱，將於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行。台灣共有23篇論文入選，不僅較2022年多8篇獲選，同時創下近五年來獲選論文數量最多的佳績！展現台灣先進半導體與固態電路領域技術研發的實力斐然 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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Diodes推出反向放電理想二極體控制器 提高保護電路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保護系統，免遭反向放電的理想二極體控制器產品。DZDH0401DW控制器驅動P通道MOSFET來模擬理想二極體，在高達40V的系統中，提供阻斷反向電流所需的高側導軌絕緣 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
