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英飞凌推出 HybridPACK Drive G2 适用於新型汽车功率模组 (2023.05.11)
英飞凌科技股份有限公司近日推出一款新型汽车功率模组HybridPACK Drive G2。该模组承袭了成熟的HybridPACK Drive G1整合B6封装概念，在相同尺寸下提供可扩展性，并扩展至更高的功率和易用性 |
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半导体产业如何推动「绿色低碳」之目标？ (2023.03.30)
碳达峰、碳中和已经成为全球关注的话题。半导体技术的发展是打造绿色低碳社会的重要动力。同时，半导体产业亦积极迈向绿化与低碳化，是碳中和策略目标的积极实践者 |
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瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产 |
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GaN将在资料伺服器中挑起效率大梁 (2022.08.26)
GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。 |
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PI推出符合汽车产业标准的IGBT/SiC模组驱动器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 该驱动器适用於原创、再制和新型 SiC 变体，适用目标为电动车辆、混合动力和燃料电池车辆 (包括公车和卡车) 以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引变频器 |
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Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。
Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品 |
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2020年汽车电子行业趋势 (2020.06.12)
交通应用将在2020年持续转型。在汽车市场，电动汽车的采用和主动安全性仍加速推动功率半导体和感测器业务的强劲增长。 |
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英飞凌CoolSiC 肖特基二极体 1200 V G5 系列增添新封装 (2019.06.19)
英飞凌科技扩充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体系列，新增TO247-2 封装产品，可取代矽二极体并提供更高的效率。扩大的 8.7 mm 沿面与空间距离可为高污染环境提供额外的安全性 |
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大联大品隹集团推出英飞凌1200 V碳化矽MOSFET技术 (2018.04.17)
致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。
此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本 |
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美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
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英飞凌全SiC模组开始量产 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系统成本：这些都是碳化矽 (SiC) 电晶体的主要优点。英飞凌科技(Infineon) 於去年PCIM展会发表的全SiC模组EASY 1B产品进入量产。在今年德国纽伦堡PCIM展会上，英飞凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模组平台和拓朴，将碳化矽技术的潜力发挥到全新境界 |
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Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上，Littelfuse将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化矽（SiC）肖特基二极体和矽IGBT技术 |
