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国研院台湾半导体研究中心主任交接 持续扮演产业发展坚强後盾 (2022.10.03)
关於半导体产业的科技战略地位重要性,从台湾半导体制造与封测产值全球第一,晶片设计全球第二可见其重要程度。面对欧美日韩中等国的强势挑战的关键时刻,国家实验研究院今(3)日举行台湾半导体研究中心主任交接典礼,由阳明交通大学电子研究所讲座教授侯拓宏接任
力旺携手联电推出新兴非挥发记忆体ReRAM矽智财 (2021.11.04)
力旺电子与联电(UMC)今日宣布,力旺电子的可变电阻式记忆体(ReRAM)矽智财已成功通过联电40奈米认证,支援消费性与工业规格之应用。 力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功,充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位,也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成
NOR记忆体朝向高容量、低功耗、小尺寸发展 (2020.06.09)
因为先天的架构设计差异,NOR的重要性在近期备受注目,尤其是在5G基地台、汽车电子,以及高性能的工业应用上。
展??2020年 台湾半导体产业有??演出一场好戏 (2019.12.30)
2019年最後倒数。回顾这一整年,半导体产业可说是起伏震荡,从年初的保守观??,到最後的乐观展??,这一路的峰??,实在颇为戏剧。尤其这最後的收尾,给了2020年一个无比正面的讯息,预告2020年的半导体产业将会很有看头
TrendForce:第三季NAND Flash品牌商营收季增幅仅4.4% (2018.11.19)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新报告指出,随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加,第三季NAND Flash供给稳定成长,但需求面受中美贸易战影响,加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素,导致旺季不旺,自年初以来的供给过剩仍难以消弭,NAND Flash各类产品合约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%
Brocade针对全快闪资料中心设计推出新款第六代光纤通道控制器 (2016.07.26)
Brocade公司推出第一款针对全快闪(all-flash)资料中心设计的第六代光纤通道控制器(Gen 6 Fibre Channel director),支援任务关键储存与商业耐障碍性。 Brocade甫于今年三月推出第一款第六代光纤通道交换器
运用nvSRAM维持企业级SSD的可靠性 (2014.04.08)
随着内存容量的增加且价格越来越便宜, 固态硬盘逐件取代传统硬盘的使用。 以每Gigabyte(GB)成本来看,固态硬盘将更具成本效益。 分析师预测固态硬盘价位可望持续下滑,使用率亦将陆续增加
运用nvSRAM 维持企业级SSD于电源故障时的可靠性 (2013.10.04)
固态硬盘技术简介 固态硬盘(Solid State Drives,简称SSD)是一种能永久储存数据的装置,采用固态半导体的内存,如闪存(NAND Flash),有别于传统硬盘机(HDD)所使用的磁性材料
Cypress的平行式nvSRAM非挥发内存获LSI青睐 打造业界首款12Gb/s SAS适配卡 (2013.09.25)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor宣布LSI已为其新款12 Gb/s SAS适配卡(HBA)选用Cypress的平行式非挥发静态随机存取内存(nvSRAMs),这些适配卡将用在高效能服务器、工作站、及外接式储存系统
Cypress推出PSoC Creator 2.2 IDE新零组件 (2013.07.09)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor针对Cypress的PSoC Creator 2.2整合设计环境(IDE)推出新零组件,可支持Cypress旗下的PSoC 3、PSoC 4以及PSoC 5LP可编程系统单芯片架构。Component Pack 6更新套件包含四个新的PSoC Components,这些预先验证的「虚拟芯片」以图标表示,用户仅须将图标拖曳到设计中并完成设定后,即可因应各种应用的需求
Cypress推出新零组件为现有PSoC组件扩增新功能 (2013.07.08)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor针对Cypress的PSoC Creator 2.2整合设计环境(IDE)推出新零组件,可支持Cypress旗下的PSoC 3、PSoC 4以及PSoC 5LP可编程系统单芯片架构。Component Pack 6更新套件包含四个新的PSoC Components,这些预先验证的「虚拟芯片」以图标表示,用户仅须将图标拖曳到设计中并完成设定后,即可因应各种应用的需求
Ramtron采用低功耗非挥发内存来控制时间 (2012.04.22)
Ramtron在日前举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中发布了新型的低功耗F-RAM内存产品,进一步加强公司协助客户改善产品能效、访问速度和安全性的能力
Cypress推出新款序列非挥发静态随机存取内存 (2011.03.28)
Cypress近日宣布推出新款序列非挥发静态随机存取内存(nvSRAM),支持仪表、工业以及汽车等应用所常用的I2C与SPI接口。新款组件提供高达104MHz的运作频率,支持各种SPI组件(I2C产品则支持至3.4MHz),并提供一款可选购的整合式实时频率(RTC),针对备份的关键数据提供时戳功能
奈米铁电技术有新法 (2010.12.21)
铁电材料(Ferroelectric)是次世代非挥发内存FeRAM的关键成分,它是一种介电质,拥有自发性和可反转的双电极,能给内存在耐用度和读写功能有大幅提升。日前日本国家材料科学研究所研发出一种新的铁电生产技术,他们利用钙铁奈米薄片建造出超晶格,并藉此生产极小的奈米铁电材质,如图
抢占MRAM先机 韩政府携手三星与海力士 (2009.12.01)
外电消息报导,韩国政府日前宣布,将与三星电子及海力士合作,进行磁性随机内存(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM))的研发,以维持韩国在全球内存产业的领先地位
力旺及韩商合作逻辑制程嵌入式非挥发内存 (2008.09.12)
继本年度第一季,力旺电子与半导体制造厂商美格纳(MagnaChip)共同宣布,力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财于MagnaChip逻辑及高压制程上进行验证,力旺电子与MagnaChip积极响应客户之需求,布局相关制程平台之开发,已展现具体成效
恒忆推低价、低功耗 DDR接口非挥发性RAM (2008.08.04)
内存厂商恒忆(Numonyx)宣布推出 Velocity LP NV-RAM产品系列,此系列低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性内存,不但可以提供移动电话和消费性电子产品制造商更高的内存效能,而且低价格
Cypress新增2-Mbit与8-Mbit nvSRAM产品 (2008.07.14)
Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存(non-volatile static random access memory;nvSRAM),将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新组件具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色
检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19)
旋转力矩转移随机存取记忆体(STT-RAM)是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术,属于非挥发性记忆体的一种,其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电,以及运算速度更快等,更适合嵌入式设计应用
发挥FRAM的独特优势 (2007.04.30)
Ramtron是一家无晶圆半导体公司,该公司瞄准垂直市场之广泛应用领域,提供设计、开发与营销特定半导体内存,以及整合式半导体解决方案。Ramtron也将铁电材质整合进入半导体产品,而开发出新层次的非挥发内存产品,也就是铁电随机存取内存(FRAM)


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