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独创低功耗UWB接收器 具10倍抗扰力排除Wi-Fi与後5G讯号 (2024.02.21)
於本周举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了一款独特的低功耗超宽频（UWB）接收器；与现有的先进UWB装置相较，该晶片的抗扰性能提升10倍，有效抵挡来自Wi-Fi和5G（以後的）讯号 |
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群联全系列UFS储存方案建构行动储存高效能 (2024.01.29)
群联电子 (Phison)推出全系列UFS晶片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361)，涵盖入门、中阶到旗舰款手机，打造行动储存高效能，全面升级UFS产品线的竞争力。
随着5G入门款手机机种的储存装置逐渐从eMMC转换到UFS 2.2储存装置，甚至4G手机旗舰机种也开始采用UFS 2.2规格 |
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联电第三季营运受惠於电脑及通讯需求 22/28奈米营收占比达32% (2023.10.25)
联华电子今(25)日公布2023年第三季营运报告，合并营收为新台币570.7亿元，较上季的563亿元成长1.4%。与2022年第三季的753.9亿元相比，本季合并营收减少24.3%。第三季毛利率为35.9% |
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力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今（28）日宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案 |
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联华电子推出应用於无线、VR/AR和物联网显示器的28eHV+平台 (2023.03.02)
联华电子今（2）日发布28奈米嵌入式高压（eHV）制程之最新加强版28eHV+平台。28eHV+平台为下一代智慧手机、VR/AR设备及物联网适用的最隹化显示器驱动IC解决方案。
相较於联电现有的28奈米eHV制程，新的28eHV+解决方案可在不影响图像画质或资料速率的前提下，降低耗能可达到15% |
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台湾团队创新研发隹绩 2023 ISSCC入选23篇论文抢先发表 (2022.11.15)
国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向来有IC设计领域奥林匹克大会之称，将於2023年2月19日至23日在美国旧金山举行。台湾共有23篇论文入选，不仅较2022年多8篇获选，同时创下近五年来获选论文数量最多的隹绩！展现台湾先进半导体与固态电路领域技术研发的实力斐然 |
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联电携手Avalanche推出航太用高密度P-SRAM装置 (2022.09.13)
因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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关於台积电的2奈米制程，我们该注意什麽？ (2022.07.29)
台积在6月底正式宣布了他们的2nm技术蓝图，有什麽重要性？又会带出哪些半导体制造技术的风向球？本文就从技术演进，以及市场竞争与成本的角度来切入分析。 |
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高通为新一代穿戴式连网装置推出Snapdragon W5+和W5平台 (2022.07.20)
高通技术公司今日发表旗下顶级穿戴式装置平台系列最新产品Snapdragon W5+Gen 1和Snapdragon W5 Gen 1。两个全新平台专为新一代穿戴式连网装置设计，具备超低功耗和前所未有的效能，同时着重带来持久的电池续航力、顶级的使用者体验和时尚创新的设计 |
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前瞻磁性记忆体技术突破 工研院与产学界合作在VLSI发表研发成果 (2022.06.15)
随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片 |
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车用晶片供需2023年见真章！ (2022.03.29)
由於设备建置与认证需要至少约一年的时间，产能最快2023年开出。因此，2022年车用晶片虽然不若2021年吃紧，供需恢复正常最快也要等到2023年。 |
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联电宣布在新加坡设立22奈米新厂 (2022.03.01)
联华电子宣布，董事会通过在新加坡Fab12i厂区扩建一座崭新的先进晶圆厂计画。新厂第一期的月产能规划为30,000片晶圆，预计於2024年底开始量产。
联电这座新厂(Fab12i P3)是新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一，提供22/28奈米制程，总投资金额为50亿美元 |
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M31科技推出基于Arm架构的AI处理器核心设计套件 (2021.12.20)
M31 Technology近日宣布其采用Arm技术架构，已成功开发针对机器学习与人工智慧应用的Arm处理器IP，包含Arm Cortex-M55 处理器及Arm Ethos-U55（NPU），实现晶片内(on-chip)处理器IP核心实作的最佳化，能协助先进处理器核心达到最大效能、缩小面积并降低功耗，同时减少50% 自行整合时间 |
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力旺携手联电推出新兴非挥发记忆体ReRAM矽智财 (2021.11.04)
力旺电子与联电(UMC)今日宣布，力旺电子的可变电阻式记忆体（ReRAM）矽智财已成功通过联电40奈米认证，支援消费性与工业规格之应用。
力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功，充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位，也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成 |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0 |
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英特尔加速制程与封装创新 驱动领导力产品路线 (2021.07.28)
英特尔首次详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规划，并宣布一系列基础创新，为2025年及其之后的产品注入动力。除了首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，尚有称作PowerVia之业界首款背部供电的方案 |
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Cadence与联电合作开发22ULP/ULL制程认证 加速5G与车用设计 (2021.07.13)
联华电子今日宣布，Cadence优化的数位全流程，已获得联华电子22 奈米超低功耗 (ULP) 与 22 奈米超低漏电 (ULL) 制程技术认证，以加速消费、5G 和汽车应用设计。该流程结合了用于超低功耗设计的领先设计实现和签核技术，协助共同客户完成高品质的设计并实现更快的晶片设计定案 (tapeout) 流程 |
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进击消费型笔电 联发科Wi-Fi 6晶片组将驱动华硕最新电竞笔电 (2021.03.18)
联发科技最新MT7921 Wi-Fi 6晶片组将搭载於华硕新款ROG玩家共和国和TUF系列电竞笔电，提供高性能、低功耗、低延迟的无线网路技术。ROG玩家共和国和TUF系列电竞笔电为首款采用联发科技Wi-Fi 6无线上网解决方案的消费型笔电产品 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由于7奈米及更先进制程愈趋复杂昂贵，正采用不同方法来提高效能，亦即降低工作电压并使用新IP区块来强化12奈米节点，而这些改变对于AI加速器特别有效。 |
