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东元建构绿色移动事业版图 跨足快充电桩、改装车电气化市场 (2024.04.17)
2024年台湾国际智慧移动展今（17）日揭幕，东元电机今年以「绿色移动夥伴-东元电动载具高效动力生态系」为主题，展出可供12m巴士使用的新产品「SiC高效直驱系统」，与打入美国改装肌肉车的130kW二合一动力，以及其他可对应船舶、机具车等不同应用的模组化动力系统 |
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「科技始之於你」首届ST Taiwan Tech Day聚焦四大趋势 展示创新成果 (2023.10.31)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）将於11月2日在台北文创举办首届ST Taiwan Tech Day。该活动旨在为客户和合作夥伴提供创新和成功所需之产品和解决方案的相关资讯。
本次活动以「科技始之於你」为主题，针对四大趋势：智慧出行、电源与能源、物联网与连接，以及感知世界等方向规划多场演讲，同步展示多达40个精心策划的解决方案 |
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SiC Traction模组的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽车功率模组的开发过程中，由欧洲电力电子中心主导的测试标准AQG324非常重要，只有完成根据它的测试规范设计的测试计画，才能得到广大的车厂认可，而汽车级SiC功率模组也必须通过AQG324的测试规范 |
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投身车电领域的入门课：IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升，正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心，IGBT和SiC模组极具市场潜力。 |
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东元电机首季营收创13年来新高 续推业界首款SiC电动车用驱动器 (2023.04.12)
即使面临2023年全球经济疫後下滑、通膨加剧，依东元电机最新公布Q1（1~3）月合并营收，仍创下13年来新高，又以机电系统暨自动化事业群扮演主要动力之一。在今（12）日开幕的台湾国际智慧移动展中，东元更首度曝光台湾业界首款自主研发、设计、制造的SiC（碳化矽）高功率直驱电动车用驱动器 |
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PI推出符合汽车产业标准的IGBT/SiC模组驱动器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 该驱动器适用於原创、再制和新型 SiC 变体，适用目标为电动车辆、混合动力和燃料电池车辆 (包括公车和卡车) 以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引变频器 |
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科锐推出新系列SiC功率模组 助电动车快充和太阳能加速量产 (2021.01.21)
碳化矽技术大厂科锐(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模组，扩展其解决方案，提升电动车快速充电、可再生能源、储能和各种工业电源应用的性能。通过采用1200V Wolfspeed MOSFET技术，该新型模组成功在简单易用的封装内实现效率最隹化，帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好、效率和性能皆显着提升的电源系统 |
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科锐与ABB宣布SiC合作 供汽车和工业领域解决方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技术领先企业科锐（Cree Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协定内容包括在ABB种类齐全的产品组合中，将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将有助科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场 |
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电力资源正危急 让我们明智使用它 (2019.10.16)
我们管理电力的方式必须改变，这有两个原因：我们需要每瓦特功率做更多，以及需要为一切工作产生更多的功率。 |
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看准SiC低耗能、高效率 罗姆将其用于赛车逆变器 (2018.10.04)
罗姆于碳化矽制程以有18年的经验，除了常见的将碳化矽元件使用于新能源及电动车上之外，罗姆于2016年也与Venturi Formula E团队合作，将SiC功率元件使用于赛车的逆变器中 |
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「Formula E 电动方程式赛车」使用ROHM全SiC功率模组 (2017.12.03)
ROHM於12月2日开幕的世界最高等级电动车赛事「FIA Formula E 电动方程式赛车2017-2018（第4季）」中，再次提供全SiC（碳化矽）功率模组予合作夥伴VENTURI车队，让车辆的性能取得更好的表现 |
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英飞凌全SiC模组开始量产 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系统成本：这些都是碳化矽 (SiC) 电晶体的主要优点。英飞凌科技(Infineon) 於去年PCIM展会发表的全SiC模组EASY 1B产品进入量产。在今年德国纽伦堡PCIM展会上，英飞凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模组平台和拓朴，将碳化矽技术的潜力发挥到全新境界 |
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扩增全碳化矽功率模组阵容 协助高功率应用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封装在IGBT模组市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模组阵容，可望进一步扩大需求。 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14)
ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
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科锐新型碳化硅功率模块较尖端技术硅模块 (2013.05.16)
科锐公司为业界带来首颗以业界标准45 mm封装的商用化碳化硅(SiC)六单元(six-pack)功率模块。在相同硅模块额定电流值下，科锐的六单元碳化硅(SiC)模块可降低功率损耗达75%，散热片尺寸可以立即减少70%或提高功率密度50% |
