 |
CML Micro購併毫米波晶片商MwT 擴大通訊市場布局 (2024.01.23)
CML Micro宣佈已購併位於美國加州的單晶微波積體電路（MMIC）和毫米波（mmWave）廠商MwT。此次購併將CML Micro和MwT各自優勢整合資源和團隊，擴張後公司定位在新興市場技術前沿，為無線通訊提供更廣泛、更深入RF 和mmWave產品組合 |
 |
USB供電5.8 GHz RF LNA具有輸出電源保護 (2023.09.14)
本文敘述USB供電5.8 GHz RF LNA具有輸出電源保護的性質，以及運作時的電路功能變化與電源管理測試等特點。 |
|
Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
|
Microchip推出衛星通訊終端高線性度Ka波段MMIC (2021.06.22)
衛星通訊系統使用複雜的調變方案，以實現極快的資料速率以用於傳遞視訊和寬頻資料。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時確保訊號能保持其理想的特性。Microchip Technology Inc.今日宣佈推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，能在不影響射頻功率或訊號準確度的情況下充分滿足上述要求 |
|
貿澤上架ADI GaAs ADMV10x轉換器 (2018.06.05)
貿澤電子即日起開始供應Analog Devices的ADMV10x轉換器，這些單石微波積體電路 (MMIC) 出自ADI最新的RF升/降頻轉頻器系列，由砷化鎵 (GaAs) 製成，可為設計人員提供高效能、高品質且封裝尺寸小巧方便的產品，以使用在各種音訊和視訊資料傳輸應用上 |
|
美高森美推出新系列寬頻塑膠封裝和MMIC器件 (2017.07.05)
美高森美公司(Microsemi Corporation，MSCC) 推出新系列寬頻塑膠封裝和單片微波積體電路(MMIC)器件。新產品擴充了不斷增長的高性能寬頻MMIC產品組合，包括四個塑膠封裝低雜訊放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3；一個寬頻功率放大器(PA)晶片MMA053AA；以及兩個塑膠封裝開關MMS006PP3和MMS008PP3 |
 |
ADI推出2-50 GHz分佈式功率放大器 (2015.07.15)
全球高效能半導體訊號處理解決方案廠商亞德諾半導體（ADI）推出HMC1127與HMC1126 MMIC（單晶微波積體電路）分佈式功率放大器。這些新型功率放大器裸晶（die）涵蓋2-50 GHz頻率範圍，可簡化系統設計和提高性能，頻段之間無需射頻開關 |
 |
Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 |
|
GaAs基表面貼裝晶圓級封裝MMIC產品為DC至45 GHz應用白皮書-GaAs基表面貼裝晶圓級封裝MMIC產品為DC至45 GHz應用白皮書 (2010.08.24)
GaAs基表面貼裝晶圓級封裝MMIC產品為DC至45 GHz應用白皮書 |
|
Avago推出推出創新平坦增益高線性度增益模塊 (2009.06.15)
Avago Technologies（安華高科技）宣佈，推出一款可以做為寬頻增益模塊(gain block)或驅動放大器MMIC的創新平坦增益高線性度低雜訊增益模塊產品，採用業界標準SOT-89包裝，尺寸為4 |
|
WCDMA HBT功率放大器模組 (2007.10.08)
本文介紹一款在3mmx5mm2的緊湊型封裝中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC電源管理IC的WCDMA功率放大器模組。這種多合一的方案適用於手機應用。它採用一種閉環控制DC-DC降壓轉換器，讓電源管理IC能夠自我調整優化PA集極電壓，可當作輸出功率函數，從而降低後移工作的耗電量 |
|
砷化鎵的磊晶技術與應用市場 (2007.04.04)
砷化鎵早年主要是應用於國防太空工業，以及高速電腦元件、高頻測量儀器等特定應用領域。隨著冷戰時代的結束、軍事管制的解除及個人通訊的快速發展，以微波頻率為主的無線通訊已可廣泛用於個人通訊、衛星通訊及光纖通訊等民生用途上 |
|
毫米波點燃台灣無線通訊產業新希望 (2005.02.01)
無線通訊技術在所謂“數位家庭”的願景中扮演了一個重要角色；如何讓各種數位設備擺脫電線的糾纏、讓使用者能更無居無束享受影音娛樂，成為當前無線通訊科技發展的一大重點 |
|
快捷半導體推出小型3x3 mm封裝射頻功率放大器 (2004.09.17)
快捷半導體 (Fairchild Semiconductor) 推出RMPA0965型號射頻 (RF) 功率放大器，專為824-849 MHz頻段的CDMA2000-1X應用而最佳化，可符合當今快速變化的手機要求。RMPA0965具有單一正電源運作、低功耗和關閉模式，在平均輸出功率為 +28 dBm的情況下提供40% 的CDMA工作模式效率 |
|
高頻放大器測試探微 (2003.10.05)
放大器是一個電子元件，主要功能是將輸入信號的功率放大而保存其原有之基本特性，在通訊系統中，放大器扮演著通訊鏈結成功與否的關鍵角色。本文將介紹雙端口高頻放大器及平衡式高頻放大器的特性參數及測試方法 |
|
射頻系統整合與測試之挑戰 (2003.01.05)
射頻（RF）系統隨著手機、無線網路等通訊技術的普及化，已經在人們的日常生活中隨時可見，而由於無線通訊產品日益輕薄短小的需求已成趨勢，RF晶片也朝向SoC的設計方向發展；本文將深入探討RF系統晶片在設計整合、功能測試上所面臨的挑戰，以及相關技術的現況與未來發展 |
|
功率放大器（PA）之封裝發展趨勢 (2002.09.05)
大部分的行動電話在射頻系統電路使用三顆IC，包括一顆整合的射頻訊號接收與發射器晶片、一顆IF元件和一顆RF功率放大器。除了IC之外，還包括上百顆被動元件和分離式元件，佔了手機的大部份空間，所以如何將這些被動元件整合是業者努力的方向 |
|
「網路無所不在」的科技推手 (2002.06.05)
「矽谷」，站在全球科技創新的頂點，許多公司立足於此，而行銷遍及全球，與台灣這半導體重鎮，更有深厚的合作關係。本刊日前受邀參加「亞洲電子產業媒體矽谷採訪團」，由筆者與多位他國記者共同深入探訪了九家矽谷科技戰將，不論是技術實力、定位或趨勢觀察，都有值得我們借鏡之處 |
|
走向IC化還是模組化？ (2002.03.05)
模組化是簡化射頻電路理想的發展方向，系統級封裝SiP更可能進一步爭奪SoC的市場。而射頻電路發展SoC的關鍵還在於半導體製程的進步上，目前SiGe 製程的突破宛如黑暗中一線曙光，為射頻電路IC化帶來新希望 |
|
磷化銦鎵InGaP HBTs 元件的可靠性討論 (2001.12.05)
隨著無線通信的發展，彷彿無窮盡地在探索 「體積小、性能好、價格便宜」的特性, 這股動力不斷地驅動著設備製造商及其供應商朝這共同的目標邁進。以砷化鎵 (GaAs) 為基礎的異質介面雙極電晶體 (HBT) 技術涵含蓋了上述的三個特性，並持續地對特定應用提供絕佳的解決方案 |
