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筑波分享WBG半导体材料测试方案 助力低碳SiC晶圆技术创新 (2022.09.23)
工研院「循环低碳碳化矽晶圆制程技术创新讲座」，邀请碳化矽晶圆材料与制程厂商代表与会，期??藉由此课程交流机会，提升产业低碳碳化矽长晶技术能量。筑波集团董事长许深福分享「WBG半导体材料测试挑战与方案」，如何提升测试技术、确保制程品质、降低成本及加速产品上市时间为需克服的挑战 |
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安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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安森美在捷克扩建碳化矽工厂 未来两年SiC产能提高16倍 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbynek Pokorny、兹林州州长Radim Holis和市长Jiri Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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碳化矽SiC良率提升不易 恐牵连电动车与绿能发展进度 (2022.09.15)
基於其耐高温与耐高压的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成为电动车与绿能相关应用的首选电源解决方案。但由於本身材料的特性难以驾驭，使得其晶圆与元件的产能和良率偏低，短期间内将难以满足持续高涨的市场需求，甚至有可能因此限制了相关应用的发展进度 |
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碳化矽SiC良率提升不易 恐牵连电动车与绿能发展进度 (2022.09.15)
基於其耐高温与耐高压的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成为电动车与绿能相关应用的首选电源解决方案。但由於本身材料的特性难以驾驭，使得其晶圆与元件的产能和良率偏低，短期间内将难以满足持续高涨的市场需求，甚至有可能因此限制了相关应用的发展进度 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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??基半导体获4.56亿元投资 加速开发氮化??功率半导体 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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TI：SiC MOSFET可减少功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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ST携手MACOM 达成射频矽基氮化??原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
在1994年10月，网络的创造者Tim Berner-Lee，在麻省理工学院的计算机科学实验室里，成立了因特网联合公会，也就是现在的World Wide Web Consortium。
