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Vishay与Yosun签订经销协议 (2008.07.29)
Vishay非常高兴地宣布，该公司已与亚洲主要电子组件经销商Yosun签订经销协议。正式签字仪式于 6月18日在位于台湾台北的Yosun办事处举行。在该协议条款下，Yosun将经销除箔电阻以外的全部 Vishay半导体与无源组件 |
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Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻 (2008.07.17)
为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求，Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C参考温度）的温度范围内分别具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm 的出色PCR（“R，由于自加热”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
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Vishay 推出微型面板电位计 (2008.07.14)
Vishay宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至±150ppm/°C且具有9.6mm小型尺寸的新型低成本面板电位计。标准低成本面板电位计的寿命为50,000个周期，而P10L具有500,000个周期的长久使用寿命 |
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Vishay针对车用工业扩展表面贴装铝电容器尺寸 (2008.07.11)
日前，Vishay宣布已扩展其150CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的4针脚版本。
150CRZ器件采用五种封装尺寸，以8mm×8mm×10mm，直至较大的12.5mm×12.5×16mm |
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Vishay推出新高强度白光功率SMD LED系列 (2008.07.11)
Vishay推出首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED系列。坚固耐用且具有高光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低热阻以及9000mcd～18000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出新高强度白光功率SMD LED系列 (2008.07.11)
Vishay推出首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED系列。坚固耐用且具有高光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低热阻以及9000mcd～18000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出Bulk Metal表贴装Power Metal Strip电阻 (2008.06.30)
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在限定功率及+70ºC的条件下保持2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR，以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出新型IHLP超薄、髙电流电感器 (2008.06.30)
Vishay宣布推出采用2020封装尺寸的新型IHLP超薄、髙电流电感器。这款小型IHLP-2020BZ-01具有5.18mm×5.49mm的占位面积、2.0mm的超薄厚度、较高的最大频率，以及 0.1µH～10µH的标准电感值 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔电阻 (2008.06.30)
为满足高可靠性应用中对性能的长期稳定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C（+25°C参考温度）范围内具有±0.05 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm的出色功率系数（"ΔR，由于自加热"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的负载寿命稳定性 |
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Vishay推出新型高功率、高速850 nm红外发射器 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.推出采用5 mm带引线封装的新一代850 nm红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。 TSHG5210与TSHG6210具有±10°视角，而TSHG5410与TSHG6x10器件具有±18°视角 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W浓膜功率电阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型35W浓膜功率电阻，该器件采用易于安装的小型TO-263封装(D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
该新型D2TO35浓膜电阻为无电感器件，具有0.01Ω～550kΩ的宽泛电阻范围 |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Vishay推出新小型双二极管ESD保护数组 (2008.06.05)
Vishay宣布推出新小型双二极管ESD保护数组，旨在保护两个高速USB埠或最多两条其他高频信号线不受瞬态电压信号干扰。
VBUS052BD-HTF采用无铅LLP75封装，尺寸为1.6 mm×1.6 mm，厚度为0.6 mm |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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Vishay推出增强型PowerBridge整流器系列器件 (2008.05.30)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增强型高电流密度PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为10A至25A，最大额定峰值反向电压为600V至1000V。
与市面上体积更大的桥式整流器相比，PowerBridge器件更为先进的热构造可提升散热效率 |
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Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器 (2008.05.19)
Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有高额定及饱和电流以及最低电感和DCR。新型TJ3-HT电感器的最高额定工作温度为+200°C，采用环形设计以减少EMI，可用来优化开关式电源、EMI/RFI滤波器、汽车的输出端扼流圈以及深井钻探产品 |
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Vishay推出新型汽车精密薄膜芯片电阻阵 (2008.05.16)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻数组，该器件已透过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能 |
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Vishay推新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容 (2008.05.15)
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
由于具有超低ESR值，加上小型0603和0805封装，该产品可提高在音频过滤和信号处理应用中的效率，并且只需占用较小的PCB板面空间 |
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Vishay推出超高精度Z箔表面贴装倒装芯片分压器 (2008.05.15)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VFCD1505表面贴装倒装芯片分压器。当温度范围在0°C至+60°C以及-55°C至+125°C（参考温度为+25°C）时，该分压器分别具有±0.05ppm/°C和±0.2 ppm/°C的超低绝对TCR、在额定功率时 ±5ppm的出色PCR跟踪（自身散热产生的RΔ）及±0.005%的负载寿命稳定度 |
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Vishay推新高频、低电荷注入模拟多任务器与开关 (2008.05.13)
Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多任务器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准TSSOP与SOIC封装外还提供采用1.8mm×2.6mm无引线微型QFN封装的器件 |
