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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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MagnaChip与奇景光电合作开发的电源管理晶片已量产 (2016.09.09)
总部位于韩国的模拟和混合信号半导体产品设计与制造公司MagnaChip宣布，该公司将采用专业的0.18微米BCD（Bipolar CMOS-DMOS，双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体）技术制程，批量生产由无晶圆厂IC设计公司奇景光电(Himax)设计的电源管理晶片(PMIC) |
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MagnaChip将于2016年9月在台举办铸造技术研讨会 (2016.07.19)
总部位于韩国的模拟和混合信号半导体产品设计商和制造商MagnaChip宣布9月27日将在台湾新竹喜来登大饭店举行铸造技术研讨会(Foundry Technology Symposium)。此次研讨会将展示MagnaChip最新的技术产品，广泛概述MagnaChip的制造能力、专业技术、目标产品应用，以及终端市场 |
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力旺及韩商合作逻辑制程嵌入式非挥发内存 (2008.09.12)
继本年度第一季，力旺电子与半导体制造厂商美格纳（MagnaChip）共同宣布，力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财于MagnaChip逻辑及高压制程上进行验证，力旺电子与MagnaChip积极响应客户之需求，布局相关制程平台之开发，已展现具体成效 |
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07上半年晶圆代工厂排行 台积电稳坐龙头 (2007.09.10)
外电消息报导，市场调查机构Gartner日前公布一份2007年上半年的全球晶圆代工厂排行榜数据显示，台湾的台积电(TMSC)依然维持龙头宝座，市场占有率为42.3%。而中国的中芯国际(SMIC)则超越新加坡特许半导体(Chartered)，重新回升第三名
根据Gartner的统计数据，台积电排名第一，市场占有率为42 |
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脱胎自Hynix非内存事业 Magnachip投入代工领域 (2004.12.30)
自南韩Hynix半导体分割而出的新公司Magnachip，宣布该公司0.13微米晶圆代工制程已进入试产，预计在2005年量产。Magnachip前身是Hynix非内存芯片事业，稍早前售予花旗旗下投资集团而独立成新公司，目前有5座位于南韩的晶圆厂，目前每月产能约当11万片8吋晶圆，拥有4200名员工 |
