 |
IBM新型SiGe電晶體 傳輸頻率達350GHz (2002.11.12)
根據外電消息，IBM近日對外宣佈採用SiGe（矽鍺）製程，研發出新型高速電晶體，IBM表示，採用新型SiGe材料的電晶體，其傳輸頻率達350GHz，比現代晶片速度快三倍，預計2005～2006年投入量產 |
|
ST發光矽技術 成功整合光學/電子功能 (2002.11.05)
根據外電消息，半導體商ST（意法半導體）近日宣佈其發光矽（Light-emitting silicon）技術已有突破，並且表示此成果可將光學和電子功能整合於一塊矽晶片上，使矽發光器的效率，首次達到砷化鎵（GaAs）等材料的效果，預計今年底前開始提供該技術之工程樣品 |
|
