CTIMES - 穩壓控制器

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科技
典故

第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

凌力爾特發表高壓非隔離同步降壓開關穩壓控制器 (2016.05.26)
凌力爾特 (Linear ) 日前發表高壓非隔離同步降壓開關穩壓控制器LTC3895，可用於驅動所有N通道MOSFET功率級。其4V至140V（150V絕對最大值）輸入電壓範圍專門設計以操作於高輸入電壓源或從具有高湧浪電壓的輸入，而無需外部湧浪抑制元件

Linear推出新型同步降壓切換穩壓控制器 (2008.08.20)
凌力爾特(Linear Technology Corporation )發表LTC3851，其為一款寬廣輸入範圍同步降壓切換穩壓控制器，可驅動所有 N通道功率MOSFET ，並可進行一致或比例追蹤。4V 至38V 輸入範圍包含了大部分中間匯流排電壓及電池化學等廣泛而多樣化的應用，強健的晶片上MOSFET 閘極驅動器可使其運用高壓外部MOSFET，以產生達20A的輸出電流，由於輸出電壓範圍為0