帳號:
密碼:
CTIMES / 朱文義
科技
典故
電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立,是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新,與提供會員實質上的協助。
IR推出IR iMOTION 16A額定集成功率模組 (2003.07.14)
國際整流器公司(IR)在其PlugNDrive集成功率模組系列中加入新成員IRAMX16UP60A,全面簡化變速電動馬達之控制電路。額定16A的 IRAMX16UP60A模組能為電子控制式變速馬達節省高達30%的能源,並專為750W至1.2kW變速馬達驅動器應用而設計,適用於室內空調系統、商用冰箱及大容量洗衣機
IR推出新款隔離式封裝Co-Pack NPT IGBT (2003.07.03)
國際整流器公司(International Rectifier)推出全新600V非穿孔式 (NPT) IGBT,該產品採用TO-220全隔離封裝 (Full-Pak),隔離效能保證最低限度為2kV;此裝置同時與IR新一代超高速、軟性恢復二極體聯合封裝,更於製作過程中進一步結合了IR先進的薄晶圓技術
IR推出全新iP2002集成功率區塊 (2003.05.10)
半導體及管理方案廠商-國際整流器公司(International Rectifier)推出全新iP2002集成功率區塊,能驅動四相、120A同步降壓轉換器於每相1MHz頻率下進行切換,全負載效率高達82.5%
IR推出多用途MOSFET (2003.02.19)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(IR)於19日推出IRF1312型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉換器中的主要和次要MOSFET,專門應用於網絡通訊及數據通訊應用領域
IR推出IRF6156型20V雙重雙向式HEXFET功率MOSFET (2003.02.12)
國際整流器公司(International Rectifier),推出IRF6156型20V雙重雙向式HEXFET功率MOSFET。該元件採用共同汲極配置,與採用TSSOP-8封裝的元件比較起來,除了體積減少了80%之外,厚度更大幅減少到0.8 mm以下
IR推出高可靠度抗幅射直流-直流轉換器 (2003.01.21)
國際整流器公司(International Rectifier),推出全新 M3G「立即可用」(off-the-shelf) 抗幅射、高可靠度(hi-rel) 直流-直流轉換器系列,大幅縮短高成本航太系統研發週期。 M3G 轉換器是完整單端式前置降壓轉換器「建構元件」(building blocks),可支援 28V、 50V及 70V的輸入電源,並配備有單、雙及三重輸出配置
IR新款MOSFET採條形溝道設計 (2003.01.13)
國際整流器公司(IR)13日推出IRLR7833及IRLR7821兩款HEXFET功率MOSFET,該產品以全新條形溝道 (Stripe-trench)技術設計,為目前D-Pak封裝上導通電阻最低的30V MOSFET。。與同類直流-直流轉換器MOSFET相比,此兩款以新技術製成的MOSFET能將效率提升高達2.5%,節省高達25%零件數目,可依照實際應用需要而定
IR推出可替代電機繼電器的300V MOSFET功率元件 (2003.01.08)
全球功率半導體及管理方案廠商-國際整流器公司(International Rectifier),推出IRF3000型300V N通道HEXFET功率MOSFET,它能取代多類電信及網路應用系統中的電機繼電器 (Electro-mechanical Relay)
IR 推出的IRF6607 DirectFET MOSFET (2002.12.11)
國際整流器公司 (International Rectifier),推出全新的IRF6607 DirectFET MOSFET,可用於高頻同步降壓轉換器中的同步MOSFET開關應用系統。降壓轉換器只需裝上一對IRF6607 DirectFET MOSFET,便可在2MHz頻率下提供每相30A的電流,效率高達77%,電流輸出更為業內最佳的SO-8封裝MOSFET的2倍
IR推出 500V MOSFET (2002.12.05)
國際整流器公司 (International Rectifier),推出全新500V L系列HEXFET功率MOSFET,當中的快恢復本體二極管能在零電壓開關 (ZVS) 電源中可靠地操作,特別適合輕負載環境。新元件的問世使IR用於ZVS電源的MOSFET系列更加充實,應用範圍涵蓋電信及其他高階開關式電源系統
IR推出三相逆變器驅動器集成電路 (2002.11.25)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(IR),推出IR2136三相逆變器驅動器集成電路系列,適用於變速馬達驅動器設計。新元件把六個MOSFET或IGBT高電壓柵驅動器整合起來,並融合多元化的保護功能,系統成本較光耦合器方案低30%
IR推出三相逆變器驅動器集成電路系列 (2002.11.22)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(International Rectifier),推出IR2136三相逆變器驅動器集成電路系列,適用於變速馬達驅動器設計。新元件把六個MOSFET或IGBT高電壓柵驅動器整合起來,並融合多元化的保護功能,系統成本較光耦合器方案低30%
IR推出可驅動Intel及AMD的功率管理晶片組 (2002.11.14)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR))推出符合Intel VRM 9.0設計規範,並可簡化低電壓、高電流多相同步直流-直流轉換器設計的完整功率管理晶片組
IR推出雙FETKY組合封裝元件 (2002.11.07)
國際整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型雙FETKY元件,把兩個N通道MOSFET及一個肖特基二極管,組合於單一SO-14封裝,載電效能遠超市場上同類雙MOSFET-肖特基組合封裝方案,亦較IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的電流
IR推出myPOWER網上設計中心 (2002.10.17)
國際整流器公司(International Rectifier),推出以網際網路為基礎的設計及模擬工具 - myPOWER網上設計中心 (Online Design Centre),提供一天完成的設計組件定製服務,並成功把先進功率系統的設計時間縮短數星期,甚至數月
IR開發出業界最高集成度智慧功率模組 (2002.09.19)
全球功率半導體及管理方案廠商-國際整流器公司(International Rectifier),日前表示該公司開發出至今集成度最高的智慧功率模組。這款iNTERO可程式化隔離智慧功率模組 (PI-IPM),可在單一封裝內把功率平台整合於嵌入式驅動器機板,板上更配備一組可程式化數位訊號處理器
IR推出IRIS4009集成開關 (2002.09.09)
全球功率半導體及管理方案廠商-國際整流器公司(International Rectifier),推出全新的IRIS4009集成開關,把一組控制集成電路及一枚低損耗、強化型HEXFET功率MOSFET結合於單一五腳封裝,專門應用於30W以下交流-直流供應
IR DirectFET MOSFET元件為 英特爾Itanium 2處理器確立功率 (2002.08.16)
全球功率半導體及管理方案廠商----國際整流器公司(IR),宣布其創新的DirectFET功率封裝技術,能使功率系統符合英特爾最新64位元處理器Itanium 2的功率管理要求。該公司的IRF6601及IRF6602 HEXFET功率MOSFET均採用DirectFET封裝,能夠在最精簡的面積上,以最少量元件滿足Itanium 2的功率規格
IR推出150V及200V MOSFET元件 (2002.08.09)
全球功率半導體及管理方案廠商----國際整流器公司(簡稱IR) 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET,它們的導通電阻和柵電荷特性經過最佳化,能將48V輸入隔離式直流-直流轉換器的效率提升1%,適用範圍包括網路和電信系統
IR推出600V IGBT Co-Packs元件 (2002.07.26)
全球功率半導體及管理方案廠商---國際整流器公司(IR) 推出全新600V非穿透式 (NPT) IGBT Co-Packs元件,適用於洗衣機及冷氣機等以馬達驅動的家電應用,及以輕型馬達驅動的工業應用

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw