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英特爾與美光推新34奈米快閃記憶體晶片 Q4量產 (2009.08.13) 外電消息報導,英特爾和美光科技於週二(8/11)宣佈,已開發出使用34奈米製程的NAND MLC快閃記憶體晶片。該晶片的儲存容量為每個儲存單元3 bit(3-bit-per-cell),高於目前標準的2 bit技術,進而提高晶片的儲存容量 |
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美光Memory Day 揭露NADA發展藍圖 (2008.06.11) 記憶體領導廠美光(Micron)10日在台舉行的「Memory Day」上表示,將持續在NAND記憶體製程上取得領先地位,除了提供目前已量產的50奈米產品外,並預計在今年第4季時,把34奈米製程的高容量NAND記憶體晶片推向市場 |
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