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科技 典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29) 英飛凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式(DAB)、HERIC、降壓/升壓和相移全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14) 英飛凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置,除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率 |
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