 |
CEA、Soitec、GF和ST聯合制定下一代FD-SOI技術發展規劃 (2022.04.26)
CEA、Soitec、格羅方德（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協定，四家公司計畫聯合制定產業之下一代FD-SOI技術發展規劃。半導體元件和FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值 |
|
ST與Soitec合作開發新一代CMOS影像感測技術 (2009.05.14)
意法半導體與工程基板供應商Soitec，宣佈雙方共同簽署一項獨家合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光（BSI，Backside-illumination）技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器 |
 |
提供遊戲機更強處理能力的SOI技術 (2007.02.27)
新一代的遊戲系統需要最複雜的晶片（微處理器），且能在合理的價格下，擁有最高效能與省電的功能。SOI針對這些產業的需求，提供了最佳的解答。這就是為什麼SOI會被使用在Xbox 360、 Nintendo Wii及PS3等最先進的遊戲主機當中，並且也將快速被廣泛使用在遊戲之外的其他應用 |
|
以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場 (2006.09.06)
絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代，採用以SOI為基板的設計，晶片製造商可在半導體製程中，繼續使用傳統的製程與設備 |
|
以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場 (2006.08.25)
絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代，採用以SOI為基板的設計，晶片製造商可在半導體製程中，繼續使用傳統的製程與設備 |
 |
Soitec宣佈全球策略性拓展計畫 (2006.07.16)
絕緣層上覆矽（SOI）晶圓與其它半導體生產用工程基板製造商Soitec（Euronext Paris），近日宣布其最新擴充發展策略，目的在於因應全球對絕緣層上覆矽（SOI）與其他工程基板不斷增加的需求 |
|
Soitec宣佈全球策略性拓展計畫 (2006.07.13)
絕緣層上覆矽（SOI）晶圓與其它半導體生產用工程基板的領導製造商Soitec（Euronext Paris），今天宣布其最新擴充發展策略，目的在於因應全球對絕緣層上覆矽（SOI）與其他工程基板不斷增加的需求 |
|
Soitec發表首款應變絕緣矽基板商業產品 (2006.07.12)
絕緣層上覆矽（SOI）晶圓與其它半導體生產用工程基板製造商Soitec（Euronext Paris），12日宣布其應用於65奈米線寬以下製程的應變絕緣矽（sSOI）晶圓已經上市，並成為業界首款因應未來需求而量產的商業基板 |
|
Soitec與SEZ合作加速應變絕緣矽基板的商業化時程 (2005.10.18)
Soitec Group與SEZ Group日前宣佈，雙方已著手計畫推動聯合開發計畫(JDP)，藉以加快新一代應變絕緣矽（sSOI）基板的商業化時程。在聯合開發計畫中，兩家公司將運用Soitec在工程基板的技術，以及SEZ在單晶圓、溼式處理技術之領先優勢，開發新型溼式蝕刻製程，提高在sSOI製程中去除鍺元素的作業效率 |
|
應材與Soitec將共同研發鍺基板技術 (2004.04.21)
美商應材宣布與法國業者Soitec策略聯盟，雙方將共同研發先進的鍺絕緣基板和相關的鍺基板製程技術，並在45奈米及以下的技術，增進電晶體的性能。
應材表示，鍺基板材料在未來的高速邏輯應用上前景可期 |
|
Soitec與ASM International合作研發應變絕緣矽 (2003.07.25)
Soitec與ASM International N.V.宣佈在應變絕緣矽(sSOI)的合作計畫上達成一項重要的里程碑，此項合作計畫成功在65奈米環境試產第一代應變矽晶圓。Soitec與ASM自今年5月起開始合作，此項計畫目前著重於微調sSOI製程以達基板效能最佳化，提高生產力及成本效率，進而加快完全商業化8吋應變SOI晶圓及最終12吋晶圓產品的上市時程 |
