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msystems將滿足車內導航及娛樂系統記憶體需求 (2006.06.14)
智慧型個人儲存裝置廠商msystems與導航及娛樂系統（Navigation Infotainment System，NIS）晶片系統平台廠商－掌微科技（Centrality Communications），14日宣布共同推出全新解決方案，以滿足車內高階可攜式導航系統的特殊嵌入式記憶體需求 |
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英特爾致力開發NOR Flash嵌入式元件市場 (2006.06.12)
英特爾宣佈將針對市場規模達數十億美元的嵌入式元件市場，擴展NOR快閃記憶體產品陣容。英特爾宣佈計畫推出3伏特(3V)版本的Intel StrataFlash嵌入型記憶體架構。英特爾同時宣佈其將進軍快速成長的序列快閃市場，推出首款 Serial Peripheral Interface(SPI)產品 |
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首款以Flash為儲存主裝置的NB已在南韓問世 (2006.05.25)
Samsung Electronics宣佈開發出無硬碟的筆記型電腦和UMPC（ultra mobile PC），並將於2006年6月上旬在南韓上市。上述產品分別配備以OneNAND快閃記憶體為內容的儲存磁片SSD（solid state disk），其儲存容量為32GB |
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三星微軟合作的混合硬碟在WinHEC 2006公開亮相 (2006.05.25)
在2006年Microsoft硬體工程師展覽會（Windows Hardware Engineering Conference；WinHEC 2006）上，Microsoft展示商用型混合硬碟（Hybrid Hard Disc；HHD）試用產品。HHD是在傳統硬碟上配備高容量的快閃記憶體，以降低耗電量、並可縮短讀取時間的新儲存技術，因此可讓筆記型電腦的續航時間增加36分鐘之久 |
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NAND快閃記憶體 下半年進入旺季 (2006.05.18)
NAND快閃記憶體報價第一季持續下跌，除了東芝（Toshiba）營收與市占率逆勢成長外，全球NAND快閃記憶體主要供應商第一季營收與市占率同步衰退，而龍頭廠三星NAND快閃記憶體市占率，則首度跌至50％以下 |
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SONY將推出快閃記憶體取代硬碟儲存的小型電腦 (2006.05.18)
根據日經BP社報導，SONY在東京舉辦的個人電腦VAIO新產品發表會上，公佈將推出可替代硬碟配備的儲存裝置選擇──以快閃記憶體為儲存主裝置的小型個人電腦。
SONY將推出配備快閃記憶體的個人電腦基本架構，將基於SONY小型個人電腦VAIO Type U的新款式VGN-UX50而設計 |
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三星新款混合硬碟能延長使用筆記型36分鐘 (2006.05.17)
根據國外媒體報導，南韓三星電子（Samsung Electronics）高層主管表示，即將於下周在Microsoft硬體工程師大會（Windows Hardware Engineering Conference；WinHEC 2006）上，展示商用版的混合硬碟（Hybrid Hard Drive；HHD）產品，其能夠把現有筆記型電腦的續航時間增加36分鐘之久 |
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Spansion獲Discretix CryptoFlash安全技術的使用授權 (2006.05.15)
快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈獲得Discretix CryptoFlash安全技術的使用授權，用於支援其安全快閃記憶體解決方案。這是Spansion近期為MirrorBit快閃記憶體未來產品增添安全功能開發創新解決方案所簽署的第三項協議 |
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三星與微軟共推Flash混合磁碟的新款硬碟 (2006.05.09)
根據外電消息引述南韓媒體報導指出，三星電子（Samsung Electronics）和Microsoft一同研發可整合快閃記憶體和磁碟的混合硬碟進度相當順利，雙方決定於本月即將召開的2006年微軟硬體工程師大會上，共同展示此款成熟的混合硬碟產品 |
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儲存驅動控制技術 扮演最佳配角 (2006.05.02)
數位儲存隨著消費性電子產業的興起，多媒體影音功能又成為主要的應用時，儲存需求也變得無所不在；在各式儲存設備中，記憶體儘管是主角，負責協助做好儲存管理的驅動與控制技術 |
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手機微型儲存卡SD格式將威脅iPod市場 (2006.04.27)
市場調查分析機構Strategy Analytics副總裁Stephen Entwistle表示，2005年全球手機儲存卡的成長幅度為160%，並且2005年全球銷售的手機儲存卡平均容量為112MB，到2010年其平均容量將提高到1.6G，這相當於每年容量的成長速度達到70%以上 |
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受產能排擠影響 DRAM價格大幅上揚 (2006.04.19)
受到DRAM廠的DDR及DDR2產能調配，以及DRAM大廠的DRAM及NAND快閃記憶體的產能排擠等因素影響，四月以來DRAM現貨價格明顯向上拉高，其中又以DDR價格上漲動力最強，有效測試（eTT）256Mb DDR十八日單日就大漲逾5％收2.35美元 |
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英特爾NOR Flash導入65奈米製程 (2006.04.11)
英特爾推出採用65奈米(nm)製程技術的1Gb多層單元(Multi-Level Cell；MLC) NOR快閃記憶體晶片樣本。英特爾的NOR快閃記憶體晶片被應用在包括手機的裝置，用以管理手機作業、處理個人資訊管理(Personal Information Management)的資料、以及儲存相片/音樂/影片等數位內容 |
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SPANSION獲得ARM處理器授權 (2006.04.10)
Spansion宣佈獲得ARM7TDMI-S處理器和SecurCore SC100處理器的使用授權。這項使用授權使Spansion可以整合ARM處理器及其MirrorBit快閃記憶體於一個裸片上。根據這項授權協議，Spansion可設計、製造及提供整合了ARM處理器和MirrorBit技術的解決方案 |
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Spansion將提供相容的快閃記憶體解決方案 (2006.04.04)
快閃記憶體解決方案供應商Spansion近日宣佈，Spansion所提供的快閃記憶體解決方案正與QUALCOMM部份參考設計平台進行預先驗證。Spansion預估，MirrorBit NOR和ORNAND快閃記憶體解決方案的驗證工作將於2006年第二季完成 |
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力晶中科新廠動土 總投資額3000億元 (2006.04.02)
首家進駐中科后里園區的力晶半導體與中部科學工業園區開發籌備處共同舉行聯合動土典禮。力晶將斥資300億元，興建四座十二吋晶圓廠（Fab 12C/ D/E/F）並創造逾五千個工作機會，結合新竹科學園區既有三座十二吋晶圓廠的龐大產能，更凸顯力晶躋身世界級記憶體大廠的企圖心 |
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Spansion榮獲思科系統2005年度優秀供應商獎 (2006.03.31)
快閃記憶體解決方案供應商－Spansion宣佈，榮獲思科系統所頒發的2005年度優秀供應商獎。思科第14屆年度優秀供應商獎計畫中，有十個獎項是頒發給其優秀供應商的。Spansion所獲得的業界著名獎項則是這十個獎當中的一個 |
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DRAMeXchange：淡季DDR價格底部即將浮現 (2006.03.21)
DRAMeXchange指數(DRAM總產值綜合指數)於本月份7號到13號，由3007下降至3000，反映DDR與DDR2現貨市場的價格均微幅走跌。現貨市場方面，DRAM價格買氣不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT價格維持在1.79美元並無太大變化 |
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M-Systems與廠商合作推出512MB高容量SIM卡 (2006.03.20)
個人智慧型儲存媒體廠商－M-Systems，與Orange及Oberthur Card Systems二十日宣布，三家公司合作推出512MB高容量SIM卡，其快閃記憶容量較現今標準64 KB SIM卡高出八千倍。此外M-Systems也與專注於智慧卡技術之分公司Microelectronica，宣布M-SIM產品的2006年發展藍圖，涵蓋了M.MAR系列（2G與3G SIM卡）及MegaSIM系列（高容量SIM卡） |
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ST推出多晶片封裝NAND快閃記憶體解決方案 (2006.03.03)
ST發表全新的多晶片封裝（MCP）記憶體產品線，新元件能滿足3G與CDMA行動電話，以及其他需要大容量記憶體，但受到空間及功耗限制之多媒體應用的需求。這一系列新元件在單一封裝中整合了密度高達1Gbit的NAND快閃記憶體以及密度達512Mbit的LPSDRAM（低功耗SDRAM） |
