CTIMES - 電晶體

宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度

ECS新增三款全新超小型石英晶體振盪器 (2015.01.12)
全球創新設計和製造矽基頻率控制產品的廠商ECS Inc. International新增三款固定頻率石英晶體振盪器產品：超小型ECX-2033-AU、超小型ECX-53B-CKM石英晶體，以及超小型ECX-1247石英晶體

Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6（採用SOT26封裝）和 ZXGD3009DY（採用SOT363封裝）可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率

宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度，宜普電源轉換公司（EPC）推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積?少50%

大聯大友尚推出德州儀器全整合型Thunderbolt DC/DC電源解決方案 (2014.12.09)
大聯大控股旗下友尚將推出德州儀器（TI）首款針對匯流排供電 Thunderbolt 應用的全面整合電源解決方案。此次推出的TPS65980 DC/DC開關穩壓器是經TI認證的Thunderbolt單埠外設參考設計的核心元件，不僅可簡化電源鏈，而且還可加速硬碟驅動器、固態驅動器，以及影音解決方案等匯流排供電應用的設計

Diodes初級側轉換器降低電源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出離線式初級側開關控制器AP3988，旨在為充電器、ADSL轉接器和家電電源降低成本，以及提升電源效能。新元件提供初級側控制，不需光耦合器和二次側控制電路，從而減少元件數量，以及節省電路板空間和成本

美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標

IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier；IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件

意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項

英飛凌推出獨立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封裝新版本 (2014.11.12)
英飛凌科技（Infineon）的IGBT產品陣容的TO-247封裝推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封裝滿足了更高功率密度、高效率與體積精簡的需求。創新的TO-247 4封裝搭配英飛凌TRENCHSTOP 5 IGBT與Rapid 二極體技術，提供了卓越效率

意法半導體RF電晶體高電壓新技術實現高可靠度E級工業電源 (2014.11.05)
意法半導體600W－250V 的13.6MHz RF功率電晶體STAC250V2-500E擁有先進的穩定性和高功率密度。採用熱效率（thermally efficient）極高的微型封裝，可用於高輸出功率的Ｅ級工業電源

鰭式場效電晶體積體電路設計與測試 (2014.11.03)
鰭式場效電晶體的出現對積體電路物理設計及可測性設計流程具有重大影響。鰭式場效電晶體的引進意味著在積體電路設計製程中互補金屬氧化物（CMOS）電晶體必須被建模成三維（3D）的元件，這包含了各種複雜性和不確定性

IR擴充超高速溝道IGBT系列 (2014.10.22)
因應多樣化系統應用的需求，國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx元件，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體（IGBT）系列。新產品旨在為多種快速開關應用作出優化，包括太陽能逆變器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統

Diodes達靈頓陣列能驅動大電感負載 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的達靈頓（Darlington）陣列ULN2000系列。該系列符合業界標準，結合7款開路電極達靈頓電晶體，每款都能以額定50V輸出提供高達500mA的輸出電流。全新的達靈頓陣列備有箝位二極體，可直接驅動多種電感負載，包括家電及工業產品的繼電器和步進馬達

宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度

從電動車到智慧車英飛凌打通車電任督二脈 (2011.04.07)
全球汽車電子和類比電源晶片大廠英飛凌（Infineon）在出售旗下無線通訊事業群之後，已經完成另一波新型態的組織再造作業。展望未來成長可期的汽車電子領域，英飛凌除了繼續穩建地累積關鍵元件的技術優勢之外，同時也積極開創多層面的新商機

NXP發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體 (2010.10.06)
恩智浦半導體（NXP）近日宣佈，推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻（UHF）射頻功率電晶體BLF888A，其支援470至860MHz的完整超高頻DVB-T訊號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上

瑞薩以1/2封裝尺寸實現最高75安培電流 (2010.09.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出七款採用HSON封裝之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），適用於汽車電子控制單元，例如引擎管理及電子幫浦馬達控制等應用。新產品包括額定電壓40V及60V的N Channel MOSFET，及額定電壓–30V的P Channel MOSFET，可應用於各類螺線管、馬達開關，或電池正負極逆向保護

CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A

ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要