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Diodes推出首款极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司发布特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同级产品中实现了极高的电流密度，以低顺向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的可携式、行动和穿戴式设备克服了设计难题 |
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艾迈斯欧司朗RGB版本OSTAR Projection Compact LED适用於机器视觉和舞台照明 (2023.12.11)
艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）推出OSTAR Projection Compact系列半高、超高亮度LED的红光、纯绿光和蓝光版本，使得机器视觉系统或舞台照明设备制造商可创造出功能更强大、外形更纤薄的产品 |
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材料创新与测试技术并进 第三代半导体开启应用新革命 (2023.08.23)
第三代半导体已经在电力能源、电动车、工业市场等领域获得具体应用。
其高功率密度和高频率特性，成为现代能源转换和电动化趋势的关键。
然而开发过程仍然需解决材料、制程、封装、可靠性测试等挑战 |
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3D 异质整合设计与验证挑战 (2023.02.20)
下一代半导体产品越来越依赖垂直整合技术来推动系统密度、速度和产出改善。由於多个物理学之间的耦合效应，对於强大的晶片-封装-系统设计而言，联合模拟和联合分析至关重要 |
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认识线性功率MOSFET (2022.10.18)
本文针对MOSFET的运作模式，元件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。 |
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瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产 |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03)
英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子（Delta Electronics）选用，助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
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英搏尔率先采用英飞凌750 V车规级分立式IGBT EDT2元件 (2022.06.10)
珠海英搏尔电气股份有限公司，率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。
这款分立式IGBT EDT2元件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本 |
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Diodes推出超小型CSP萧特基整流器 可节省电路板空间 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片级封装（CSP）的高电流萧特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）达到业界同级最高电流密度，满足市场对於尺寸更小、更高功率的电子系统需求 |
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适用于电池供电设备的热感知高功率高压板 (2021.12.30)
电池供电马达控制方案为设计人员带来多项挑战，例如，优化印刷电路板热效能至今仍十分棘手且耗时... |
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Vicor AI处理器横向供电解决方案获2021年全球电子成就奖 (2021.12.16)
Vicor凭藉其应用在大电流AI 处理器上的分比式电源架构（FPA）的横向供电解决方案，荣获2021年全球电子成就奖（WEAA），电源管理/电压转换器类别的年度最具创新产品奖。与Vicor同时荣获该奖项的共有六家公司，为亚诺德、圣邦微、金升阳、艾普??科、Power Integrations |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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ROHM推出第五代Pch MOSFET 超低导通电阻助装置节能与小型化 (2020.12.28)
半导体制造日商ROHM研发出共计24款Pch MOSFET产品，包括支援24V输入电压的耐压━40V和━60V单极型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和双极型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」，适用於FA、机器人、空调装置等工控装置之风扇马达和电源管理开关，以及大型消费性电子装置用之风扇马达、空调和电源管理开关 |
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迈向1nm世代的前、中、后段制程技术进展 (2020.12.08)
为了实现1nm技术节点与延续摩尔定律，本文介绍前、中、后段制程的新兴技术与材料开发，并提供更多在未来发展上的创新可能。 |
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电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前，寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计，成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光，已然在全球前沿电力电子市场发散热力 |
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高能效储能系统中多阶拓扑之优势 (2020.12.02)
开关元件的功耗降低可减少散热，较低的谐波内容仅需较少的滤波且 EMI 明显降低。 |
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SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估 (2020.08.18)
本文透过模拟雪崩事件，进行非钳位元感性负载开关测试，并使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的测试条件，评估技术的失效能量和鲁棒性。 |
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KLA全新电子束缺陷检测系统 以深度学习提供先进IC缺陷检测方案 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10电子束图案化晶圆缺陷检测系统。该系统旨在通过检测来发现光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷，加快高性能逻辑和记忆体晶片，其中包括那些依赖於极紫外线（EUV）光刻技术的晶片的上市时间 |
