CTIMES雜誌

從配角到主流--非揮發性記憶體的來世今生

NVM技術發展與市場應用概觀
非揮發性記憶體的競合市場
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等。

電子旋轉新世紀
檢視STT-RAM記憶體應用優勢
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體（STT-RAM）是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術，屬於非揮發性記憶體的一種，其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電，以及運算速度更快等，更適合嵌入式設計應用。本文將介紹STT-RAM記憶體之應用優勢。

技術延展對NOR和NAND快閃記憶體與其應用的影響
NOR與NAND快閃記憶體從於1986年問世至今，20年間已延展9個世代。記憶體種類和MLC 技術的延展帶給手機與數位相機市場高密度的程式碼與可移除資料儲存媒體。本文將討論快閃記憶體延展將如何繼續催生新解決方案，包括行動通訊與個人電腦運算平台。

一窺令人期待的市場新契機
筆記型電腦的固態硬碟技術
以快閃記憶體為基礎的固態硬碟（Solid State Drive, SSD）技術優勢，已在另一塊新市場展露頭腳：筆記型電腦的使用者開始使用前者用以替代傳統的機械式硬碟（Hard Disk Drive, HDD）。本篇文章將比較固態硬碟和傳統硬碟技術，以及固態硬碟技術何以在近來成為筆記型電腦的儲存解決方案。另外，也將在文中詳述固態硬碟製造商所需要克服的主要困難，以及主產業分析師對固態硬碟逐步滲透企業級筆記型電腦之後的市場成長潛力預測。

非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。鐵電結構是基本的RAM設計，電路讀取和寫入簡單而容易。FRAM不需要定期更新，即使在電源消失的情況下，仍能儲存資料。業界已經在鐵電儲存裝置陣列裡，消除對一個內部參考電容在每一晶元陣列內的電容需要。1T1C架構有效地把晶元面積減半，新架構相當有效的晶片改進手段，降低了FRAM 記憶產品的生產成本。快速的寫入操作、次數多的寫入壽命、以及低電壓消耗，是FRAM的三大技術優勢與特徵。