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讨论新闻主题﹕安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求

新闻 提要
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能。 安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一种新的宽能隙半导体，提供比矽更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减少电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。 新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650V击穿电压实现同类最隹的品质因数Rsp(Rdson* area)

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