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討論新聞主題﹕意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速切換技術提升應用性能

新聞 提要
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之HB2 650V IGBT系列採用最新的第三代溝槽式場截止（Trench Field Stop，TFS）技術，可提升PFC轉換器、電焊機、不斷電供應系統（Uninterruptible Power Supply，UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的效能和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的車用產品。 新款HB2系列屬於STPOWER?產品家族，較低的1.55V VCEsat 飽和電壓使導通性能更為出色；而更低的閘極電荷使其能夠在低閘極電流狀態下快速切換，提升動態切換性能；出色的散熱功能則有助於最大限度地提升可靠性和功率密度，同時新系列亦是市面上極具競爭力的產品。 HB2系列IGBT針對內部二極體提供三個不同的選擇：全額定二極體、半額定二極體或防止意外反向偏壓的保護二極體，其為開發者提供更多的設計自由，還可以根據特定應用需求優化動態效果

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