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瑞薩新款功率半導體裝置 可縮小60%安裝面積 (2011.02.22)
瑞薩電子近日發表全新R2J20751NP功率半導體裝置之開發。此裝置可做為個人電腦、伺服器及印表機內DDR類型SDRAM（Synchronous DRAM）記憶體及大型邏輯裝置（如FPGA）之專屬電源供應器 |
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瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量 |
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新加坡研發出新型晶片技術 可降低30倍電耗 (2009.02.13)
外電消息報導，新加坡南洋理工大學日前宣佈，與美國萊斯大學的科學家合作研發出一種效率極高的微型晶片，該晶片若應用至手機上，將可延長數倍的待機時間，讓手機的充電次數延長至數周一次 |
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ADI推出包含LVDS輸出的軌至軌比較器 (2006.09.27)
美商亞德諾的ADCMP60x系列軌至軌比較器是專為需要高速、低功率、軌至軌擺幅與高精密的應用而設。此一比較器系列支援所有盛行的數位輸出級—包括LVDS(低壓差動信號)、CML(電流模式邏輯)和TTL/CMOS(電晶體-電晶體-邏輯/互補金屬氧化半導體)—為諸如醫療儀器、量測、RF(射頻)和電信設備等應用所需 |
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敦南科技選用安捷倫IC-CAP器件模擬軟體 (2005.11.14)
安捷倫科技（Agilent Technologies Inc.）宣佈，敦南科技公司（Lite-On Semiconductor Corp.）選用安捷倫的IC-CAP器件模擬軟體來開發高電壓半導體應用，如漏極擴展（DE）金屬氧化半導體（MOS）和橫向擴散（LD）MOS模型 |
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美國國家半導體推出兩款全新的放大器晶片 (2004.11.11)
美國國家半導體(NS)推出兩款全新的放大器晶片，型號為LMH6574的一款是業內最快速的4:1單組裝視訊多工放大器，另一款型號為LMH6572的新晶片則是目前市場上最快速的雙電源2:1紅綠藍(RGB)三重組裝多工放大器 |
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NS推出高電壓系統專用100V高整合度降壓偏置穩置器 (2004.04.21)
美國國家半導體(National Semiconductor)推出市場上首款 100 伏 (V) 降壓偏置穩壓器。這款穩壓器的功率轉換效率高達 90%，只要採用這款穩壓器，便可設計能大幅省電的產品。
LM5008 晶片除了內含 100 V、500 mA 的 N 通道功率金屬氧化半導體場效應電晶體 (MOSFET) 之外，另外還可提供偏置電源供應器所需的所有功能 |
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美國國家半導體新推出高壓單端轉換器 (2004.02.24)
美國國家半導體公司（National Semiconductor Corporation）日前推出一款全新的高壓單端轉換器，使該公司的電源管理產品有更多款產品可供選擇。這款型號為 LM5020 的轉換器功能齊備，可為馳回及正向電源供應器提供控制、驅動及穩壓等功能 |
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中芯國際與IP供應商合作 以擴大潛在客戶群 (2003.01.29)
據外電報導，大陸上海晶圓代工業者中芯國際，日前宣佈與半導體矽智財（IP）資料庫供應商Artisan Components簽訂合作協定，Artisan將提供針對中芯國際0.18微米互補性金屬氧化半導體（CMOS）製程為基礎的設計平台 |
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專注研發「小而美」的電源管理元件 (2003.01.16)
隨著電子產品對於高功能、低功耗的要求日益提高，電源管理元件在其中扮演的角色愈顯重要；在電子產品不斷朝輕薄短小方向發展的趨勢下，電源管理元件的體積也必須跟著縮小，才能「擠」進越來越狹窄的電路板空間 |
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安捷倫科技在通訊應用的半導體晶片之SerDes整合工作上有新的斬獲 (2002.02.05)
安捷倫科技宣稱該公司針對通訊應用所使用的特殊應用積體電路（ASIC）整合串行器/解串行器（SerDes）通道的工作，已經邁向另一個新的里程碑。安捷倫的努力成果，達到了目前SerDes整合標準的9倍，可望協助製造商省下大量的電路板空間與成本 |
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環球拓晶投資36億元於南科設廠 (2001.03.21)
環球拓晶公司7月1日將在台南科學園區投資36億元建廠，生產大尺寸磊晶矽晶圓片，將可使我國八吋及12吋晶圓廠所需的CMOS(互補式金屬氧化物半導體製程)磊晶片不需再仰賴國外進口，預計92年營業額可達50億元 |
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聯電與Aurora System合力生產矽晶液晶顯示面板LCOS (2001.02.19)
聯電集團已決定利用產能空缺之餘，結合美商Aurora System公司運用用CMOS(互補式金屬氧化半導體)製程，全力提供我業者取得生產反射式液晶投影機的關鍵零組件-矽晶液晶顯示面板 (LCOS) |
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Avant!與聯電合作共同導入SinglePass完整之設計解決方案 (2000.02.16)
Avant!和聯電宣佈一重大的合作協議，針對聯電的超深次微米(VDSM)中的互補式金屬氧化半導體流程技術(0.15微米或更小)，共同發展和導入先進的設計解決方法。這個設計解決方法將被應用在Avant!的超深次微米(VDSM) SinglePass 工具和設計流程 |
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日立將試產全球最高速SRAM (1999.06.21)
日立製作所宣佈試產全世界最高速的靜態隨機存取記憶體(SRAM)。日晶產業新聞報導，日立製作所開發的新記憶體，記憶容量為一百萬位元(Mb)，存取時間為550微微秒，預定今年內推出的下一代大型主機 |
